公开(公告)号：CN117855248A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311216465.6

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志授 ,  姜明一 ,  权智旭 ,  李正韩 ,  崔秀斌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一片图案的第一端和第二端；接触阻挡图案，在第二源/漏图案的下侧上；第一源/漏接触部，沿第一方向延伸并且连接到第一源/漏图案；以及第二源/漏接触部，连接到第二源/漏图案并且沿第一方向延伸以接触接触阻挡图案的上表面。从栅电极的上表面到第一源/漏接触部的最下部分的深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度。

公开(公告)号：CN119545898A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410532392.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志䛵 ,  姜秉柱 ,  林载炯 ,  千宽永 ,  崔秀斌

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种三维半导体器件可以包括：背面金属层；下沟道图案，在背面金属层上；第一下源/漏图案和第二下源/漏图案，在第一方向上彼此间隔开，下沟道图案介于第一下源/漏图案与第二下源/漏图案之间，第一下源/漏图案连接到下沟道图案；上沟道图案，在下沟道图案上；第一上源/漏图案，在第一下源/漏图案上，第一上源/漏图案连接到上沟道图案；第二上源/漏图案，在第二下源/漏图案上；以及宽过孔，将第一上源/漏图案电连接到第二下源/漏图案。宽过孔可以包括具有第一顶表面的第一过孔部分和具有第二顶表面的第二过孔部分，并且这里，第二顶表面可以处于比第一顶表面低的水平处。

公开(公告)号：CN115881731A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211129273.7

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  崔秀斌 ,  朴哲弘

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，与有源区相交并沿垂直于第一方向的第二方向延伸；接触结构，在栅电极的一侧设置在有源区上并沿第二方向延伸；以及第一过孔，设置在接触结构上以连接到接触结构，并且第一过孔具有在第二方向上的长度大于在第一方向上的长度的形状。多个第一金属互连被设置，多个第一金属互连在第一过孔上沿第一方向延伸并连接到第一过孔。第二过孔被设置，第二过孔设置在多个第一金属互连上以连接到多个第一金属互连，并且第二过孔具有在第二方向上的长度大于在第一方向上的长度的形状。