公开(公告)号：CN109216346B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN201810251133.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔晸赫 ,  李海王 ,  河玹知 ,  朴哲弘

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：鳍型有源区域，在基板上在第一方向上延伸；绝缘分隔结构，在鳍型有源区域上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；一对分开的栅线，彼此间隔开而使绝缘分隔结构在其间，并在第二方向上延伸以与绝缘分隔结构对准；一对源极/漏极区域，位于鳍型有源区域上并彼此间隔开而使绝缘分隔结构位于其间；以及跨接接触，位于绝缘分隔结构之上并且连接在所述一对源极/漏极区域之间。

公开(公告)号：CN115312376A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210433056.0

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔晸赫 ,  权多率

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：设置下部结构；在下部结构上顺序地形成介电层和具有第一中间开口的掩模层；在掩模层中形成在第一方向上延伸以与第一中间开口至少部分地重叠的第一开口；在掩模层的侧壁上形成间隔物层以位于第一中间开口和第一开口中的每一个的一部分中；在掩模层中形成通过第一中间开口在第一方向上间隔开的第二开口；使用掩模层来图案化介电层；以及通过用金属材料填充介电层的经图案化区域来形成金属材料层。

公开(公告)号：CN109216346A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810251133.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔晸赫 ,  李海王 ,  河玹知 ,  朴哲弘

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：鳍型有源区域，在基板上在第一方向上延伸；绝缘分隔结构，在鳍型有源区域上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；一对分开的栅线，彼此间隔开而使绝缘分隔结构在其间，并在第二方向上延伸以与绝缘分隔结构对准；一对源极/漏极区域，位于鳍型有源区域上并彼此间隔开而使绝缘分隔结构位于其间；以及跨接接触，位于绝缘分隔结构之上并且连接在所述一对源极/漏极区域之间。