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发明公开
制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115312376A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210433056.0

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔晸赫 , 权多率

IPC: H01L21/033 , H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：设置下部结构；在下部结构上顺序地形成介电层和具有第一中间开口的掩模层；在掩模层中形成在第一方向上延伸以与第一中间开口至少部分地重叠的第一开口；在掩模层的侧壁上形成间隔物层以位于第一中间开口和第一开口中的每一个的一部分中；在掩模层中形成通过第一中间开口在第一方向上间隔开的第二开口；使用掩模层来图案化介电层；以及通过用金属材料填充介电层的经图案化区域来形成金属材料层。

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