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公开(公告)号：CN113455013B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202080015237.0
申请日：2020-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/8549 , H04N9/64 , G06T5/90
Abstract: 本公开涉及公开了一种电子设备，包括存储器和与存储器电连接的处理器。存储器存储指令，当指令被执行时使处理器控制电子设备以：基于图像内容的元数据来获取关于图像内容亮度的最大值的信息，基于关于亮度的最大值的信息，对与图像内容的预览图像相对应的至少一个或多个帧执行色调映射，以及基于对其执行色调映射的至少一个或多个帧在显示设备上输出预览图像。
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公开(公告)号：CN115995245A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211248005.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C11/408
Abstract: 一种存储装置包括：第一子字线驱动器，所述第一子字线驱动器包括第一晶体管，所述第一晶体管由通过第一直接接触连接到第一字线的第一有源区和第一栅极线形成，所述第一栅极线和所述第一字线在第一方向上延伸；以及第二子字线驱动器，所述第二子字线驱动器包括第二晶体管，所述第二晶体管由通过第二直接接触连接到第二字线的第二有源区和第二栅极线形成，所述第二直接接触和所述第一直接接触在第二方向上并排设置并且彼此间隔开，所述第二方向与所述第一方向垂直。所述第二栅极线在所述第一方向上延伸。由所述存储装置的第三子字线驱动器驱动的第三字线位于所述第一字线与所述第二字线之间。
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公开(公告)号：CN120071934A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510384489.5
申请日：2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集线器设备和由集线器设备执行的方法，该方法包括：从收听器设备接收语音信号；通过执行自动语音识别ASR将所接收的语音信号转换为文本；通过使用第一自然语言理解NLU模型来分析文本，并且通过使用设备确定模型来确定与所分析的文本相对应的操作执行设备；从所确定的操作执行设备和收听器设备中识别存储与所确定的操作执行设备相对应的功能确定模型的设备；以及向所识别的设备提供文本的至少一部分。
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公开(公告)号：CN115512739A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210376020.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种子字线驱动器及包括其的半导体存储器件。所述子字线驱动器可以包括字线上拉晶体管、字线下拉晶体管和被配置为使字线维持在指定电压电平的保持晶体管。所述子字线驱动器可以包括：外围有源区域，所述外围有源区域位于衬底上；第一外围栅电极，所述第一外围栅电极对应于所述字线下拉晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；第二外围栅电极，所述第二外围栅电极对应于所述保持晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；以及第一下接触，所述第一下接触耦接到所述外围有源区域的第一区域。来自所述第一区域的第一(VBB)电压可以被供应给所述保持晶体管的源极节点。
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公开(公告)号：CN114355721A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111179241.3
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种方法。所述方法包括：制备掩模坯，掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层；通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸；识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于光掩模；以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时，将激光束照射到校正目标区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116030855A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210680243.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件的子字线驱动器电路，包括：衬底中的第一有源图案和第二有源图案，以及栅极图案。第一有源图案包括第一保持晶体管的第一漏区和第一源区，该第一保持晶体管使用负电压对未激活且沿第一方向延伸的第一字线进行预充电。第二有源图案包括第二保持晶体管的第二漏区和第二源区，该第二保持晶体管使用负电压对未激活且沿第一方向延伸的第二字线进行预充电。栅极图案在第一有源图案的一部分上并且在第二有源图案的一部分上，与第一有源图案和第二有源图案部分地重叠。
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公开(公告)号：CN115206374A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210367298.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 一种位线读出放大器，包括：放大器，连接在第一读出位线和第二读出位线之间，并响应于第一控制信号和第二控制信号来检测并放大第一位线和第二位线之间的电压差；和均衡器，连接在通过其提供第一控制信号的第一电源线和通过其提供第二控制信号的第二电源线之间，并响应于均衡控制信号来用预充电电压对第一位线和第二位线进行预充电，其中，均衡器包括源端连接到第一电源线的均衡使能晶体管，并响应于均衡控制信号来执行均衡。
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公开(公告)号：CN113748458A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080031822.X
申请日：2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集线器设备、包括集线器设备的多设备系统及其操作方法可以包括：由集线器设备将接收的语音输入转换为文本；由集线器设备识别能够执行与所述文本相对应的操作的设备；从集线器设备和连接到集线器设备的多个其他设备当中识别哪个设备存储与能够执行对应于文本的操作的设备相对应的功能确定模型；以及基于识别的存储功能确定模型的设备是与集线器设备不同的设备，将文本的至少一部分发送到识别的设备，其中，集线器设备包括硬件处理器。
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公开(公告)号：CN112305853A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010709170.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36 , G03F1/52 , G03F1/76 , H01L21/027
Abstract: 公开了光掩模制造方法和半导体器件制造方法。该光掩模制造方法包括：在具有图像区域和围绕图像区域的边缘区域的掩模衬底上形成反射层；在反射层上形成吸收图案；将第一激光束照射到边缘区域上的反射层和吸收图案以形成黑色边界；使用具有黑色边界的光掩模向测试衬底提供极紫外(EUV)光束以形成测试图案；获得测试图案的临界尺寸校正图；以及使用临界尺寸校正图将第二激光束照射到图像区域一部分上的反射层，以形成比黑色边界厚的被退火区域。
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公开(公告)号：CN102468259B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201110339704.8
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3114 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/83143 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装和制造其的方法。该半导体封装包括：具有接合焊盘的半导体芯片、电连接到半导体芯片并且具有接触外部端子的端子的金属线、覆盖金属线并且具有定义该端子的开口的绝缘层、以及模制半导体芯片的模制层，其中模制层包括暴露接合焊盘且从接合焊盘延伸到端子的凹陷图案，金属线嵌入凹陷图案中以接触接合焊盘。
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