公开(公告)号：CN115206374A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210367298.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张寿凤 ,  林英一 ,  元福渊 ,  李硕宰 ,  金东建 ,  柳明植 ,  白寅硕 ,  金暻旻 ,  朴相昱

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 一种位线读出放大器，包括：放大器，连接在第一读出位线和第二读出位线之间，并响应于第一控制信号和第二控制信号来检测并放大第一位线和第二位线之间的电压差；和均衡器，连接在通过其提供第一控制信号的第一电源线和通过其提供第二控制信号的第二电源线之间，并响应于均衡控制信号来用预充电电压对第一位线和第二位线进行预充电，其中，均衡器包括源端连接到第一电源线的均衡使能晶体管，并响应于均衡控制信号来执行均衡。

公开(公告)号：CN109767799A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811293640.0

申请日：2018-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔轸湧 ,  金尚玧 ,  张寿凤

IPC: G11C11/4091

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/12

Abstract: 提供了一种存储器电路和包括该存储器电路的存储器设备。存储器电路可以连接到位线和互补位线，并且被配置为对位线和互补位线执行预充电。该存储器电路可以包括：均衡器，被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线连接来均衡位线和互补位线的电压电平；以及预充电器，被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。均衡信号和预充电信号可以经由单独的线接收。

公开(公告)号：CN100550195C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610051303.1

申请日：2006-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张寿凤 ,  金致旭

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4074 ,  G11C7/00 ,  H02M3/04

CPC classification number: G11C5/145 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C2211/4065

Abstract: 在半导体存储器件的提升电压产生电路中，有源突跳器驱动信号产生电路响应行激活命令产生具有第一脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号并响应刷新命令产生具有第二脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号。有源突跳器电路响应有源突跳器驱动信号来产生提升电压。第二脉冲持续时间可以大于第一脉冲持续时间，从而可以改善刷新操作中提升电压的泵激效率。

公开(公告)号：CN109767799B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201811293640.0

申请日：2018-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔轸湧 ,  金尚玧 ,  张寿凤

IPC: G11C11/4091

Abstract: 提供了一种存储器电路和包括该存储器电路的存储器设备。存储器电路可以连接到位线和互补位线，并且被配置为对位线和互补位线执行预充电。该存储器电路可以包括：均衡器，被配置为响应于均衡信号通过将位线与互补位线连接来均衡位线和互补位线的电压电平；以及预充电器，被配置为响应于预充电信号将位线和互补位线预充电到预充电电压。均衡信号和预充电信号可以经由单独的线接收。

公开(公告)号：CN114724594A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111332942.6

申请日：2021-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张寿凤

IPC: G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C8/06

Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列，沿第一方向彼此间隔开；多个列选择晶体管，在第一存储器单元阵列与第二存储器单元阵列之间沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开，所述多个列选择晶体管中的至少两个列选择晶体管包括中心栅极图案的相应部分，中心栅极图案在第一存储器单元阵列的中心处与沿第一方向延伸的中心线交叉并且具有闭合的回路形状；以及第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线，被配置为：基于列选择晶体管的操作将通过第一存储器单元阵列的电位提供给局部感测放大器。

公开(公告)号：CN109935249B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811441122.9

申请日：2018-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  徐寧焄 ,  张寿凤

IPC: G11C7/06

Abstract: 提供了半导体存储器装置及其多位数据感测方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元，存储多位数据；以及位线感测放大器，以开放位线结构连接到存储器单元的位线和与存储器单元对应的互补位线。位线感测放大器包括第一锁存器和第二锁存器，第一锁存器顺序地感测存储的多位数据的第一位和第二位并且向第二锁存器发送感测的第一位，第二锁存器感测来自第一锁存器的发送的位。

公开(公告)号：CN109935249A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811441122.9

申请日：2018-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  徐寧焄 ,  张寿凤

IPC: G11C7/06

Abstract: 提供了半导体存储器装置及其多位数据感测方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元，存储多位数据；以及位线感测放大器，以开放位线结构连接到存储器单元的位线和与存储器单元对应的互补位线。位线感测放大器包括第一锁存器和第二锁存器，第一锁存器顺序地感测存储的多位数据的第一位和第二位并且向第二锁存器发送感测的第一位，第二锁存器感测来自第一锁存器的发送的位。

公开(公告)号：CN1838314A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610051303.1

申请日：2006-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张寿凤 ,  金致旭

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4074 ,  G11C7/00 ,  H02M3/04

CPC classification number: G11C5/145 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C2211/4065

Abstract: 在半导体存储器件的提升电压产生电路中，有源突跳器驱动信号产生电路响应行激活命令产生具有第一脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号并响应刷新命令产生具有第二脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号。有源突跳器电路响应有源突跳器驱动信号来产生提升电压。第二脉冲持续时间可以大于第一脉冲持续时间，从而可以改善刷新操作中提升电压的泵激效率。

公开(公告)号：CN101783167A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910174044.5

申请日：2009-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张寿凤

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 一种使用通过使用位线读出放大器的全VDD位线预充电方案的半导体存储器件，包括：预充电单元，用于将位线和互补位线从电源电压预充电至一电压，该电压比电源电压小预定电压；和所述读出放大器，包括串联连接在所述位线和所述互补位线之间以便彼此交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与所述互补位线连接，而所述第二晶体管的栅极与所述位线连接。所述预充电单元响应于第一预充电信号而将所述位线和互补位线预充电至比电源电压小所述第一晶体管或第二晶体管的阈值电压的电压，以及响应于第二预充电信号而将所述位线和互补位线从电源电压预充电至比电源电压小所述第一晶体管或第二晶体管的阈值电压的一半的电压。