公开(公告)号：CN109935249B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811441122.9

申请日：2018-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  徐寧焄 ,  张寿凤

IPC: G11C7/06

Abstract: 提供了半导体存储器装置及其多位数据感测方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元，存储多位数据；以及位线感测放大器，以开放位线结构连接到存储器单元的位线和与存储器单元对应的互补位线。位线感测放大器包括第一锁存器和第二锁存器，第一锁存器顺序地感测存储的多位数据的第一位和第二位并且向第二锁存器发送感测的第一位，第二锁存器感测来自第一锁存器的发送的位。

公开(公告)号：CN109935249A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811441122.9

申请日：2018-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  徐寧焄 ,  张寿凤

IPC: G11C7/06

Abstract: 提供了半导体存储器装置及其多位数据感测方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元，存储多位数据；以及位线感测放大器，以开放位线结构连接到存储器单元的位线和与存储器单元对应的互补位线。位线感测放大器包括第一锁存器和第二锁存器，第一锁存器顺序地感测存储的多位数据的第一位和第二位并且向第二锁存器发送感测的第一位，第二锁存器感测来自第一锁存器的发送的位。