公开(公告)号：CN109830548A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。

公开(公告)号：CN105280594B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯‑金属接合结构、制造石墨烯‑金属接合结构的方法和包括该石墨烯‑金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯‑金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。

公开(公告)号：CN109254499A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括由式1表示的结构和溶剂，其中在式1中，R1-R8、X和M详细地描述于具体实施方式部分中。式1

公开(公告)号：CN107359686A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

CPC classification number: H02N1/04 ,  H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN106410002A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。

公开(公告)号：CN106067739A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN105280594A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯-金属接合结构、制造石墨烯-金属接合结构的方法和包括该石墨烯-金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯-金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。

公开(公告)号：CN101462718A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810170303.2

申请日：2008-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  崔在荣 ,  申铉振

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B3/0021 ,  C01B32/15 ,  C01B32/18 ,  C01B32/184 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  Y02E60/325

Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯壳的方法和一种使用该方法制备的石墨烯壳。对有机溶剂和石墨化催化剂的混合物执行第一热处理工艺，以便用从有机溶剂分解的碳对石墨化催化剂进行渗碳。石墨化催化剂为颗粒的形式。在惰性气体氛围或还原性气体氛围下对渗碳石墨化催化剂执行第二热处理工艺，从而在渗碳石墨化催化剂的表面上形成石墨烯壳。

公开(公告)号：CN110970289B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN110911492B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910226482.5

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  申建旭 ,  申铉振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。一种电子器件可以包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的铁电层；以及在衬底和铁电层之间的碳层。该碳层可以具有sp2键合结构。