公开(公告)号：CN114256418A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110670117.0

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  林载顺 ,  崔在亨 ,  朴正敏

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种电容器和DRAM装置，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，氧化铪层具有四方晶相或正交晶相。

公开(公告)号：CN107619419B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201710244138.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)

公开(公告)号：CN107814817A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710389086.5

申请日：2017-05-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  李圣德 ,  赵晟佑

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  C07F5/062 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L28/90 ,  H01L29/40117 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  C23C16/303 ,  C23C16/403 ,  H01L21/02271

Abstract: 公开铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法。铝化合物由化学式(I)表示并且用作用于形成含铝薄膜的源材料。在化学式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8与说明书中描述的相同。化学式(I)。

公开(公告)号：CN107578995A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710533807.5

申请日：2017-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  李炫锡 ,  赵基熙

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。

公开(公告)号：CN120076351A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510273781.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  林载顺 ,  崔在亨 ,  朴正敏

IPC: H10D1/68 ,  H10B12/00

Abstract: 公开了一种电容器和DRAM装置，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，氧化铪层具有四方晶相或正交晶相。

公开(公告)号：CN117119790A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310537789.3

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  林佑燮 ,  蔡志旼 ,  安敞茂 ,  林载顺

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，设置在基底上；第一下界面膜，设置在下电极上；介电膜，设置在第一下界面膜上；第一上界面膜，设置在介电膜上；以及上电极，设置在第一上界面膜上，其中，第一下界面膜和第一上界面膜中的每个是导电单膜，并且第一下界面膜和第一上界面膜包括相同的金属元素，其中，包括在第一下界面膜和第一上界面膜中的每个中的金属元素的电负性大于包括在介电膜中的金属元素的电负性。

公开(公告)号：CN116419665A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211634729.5

申请日：2022-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  蔡志旼 ,  朴赞勋 ,  申东珉 ,  林载顺 ,  全寅铎

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底：下电极，设置在衬底上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，设置在下电极上；上电极，设置在介电层上；第一界面膜，在下电极与介电层之间；以及第二界面膜，在上电极与介电层之间。第一界面膜和第二界面膜中的至少一个包括多个层，其中该多个层包括第一金属元素和第二金属元素、以及氧和氮中的至少一种。下电极包括第一金属元素。第一界面膜的第一区域包括第一浓度的第二金属元素，并且第一界面膜的第二区域包括与第一浓度不同的第二浓度的第二金属元素。

公开(公告)号：CN112341489A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN111471068A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911395054.1

申请日：2019-12-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金铭云 ,  金润洙 ,  李相益 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  赵峻希 ,  蔡元默

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/18

Abstract: 提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法，所述锡化合物由式1表示，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]

公开(公告)号：CN110272438A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910053529.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  原野一树 ,  佐藤晴义 ,  白鸟翼 ,  山田直树

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]