公开(公告)号：CN106336422B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  佐藤晴义 ,  山田直树 ,  内生藏广幸

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

公开(公告)号：CN111943978A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L51/00

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]

公开(公告)号：CN106977540B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN112341489A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN110272438A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910053529.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  原野一树 ,  佐藤晴义 ,  白鸟翼 ,  山田直树

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]

公开(公告)号：CN109134546A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/30 ,  C07F11/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  C07F11/005 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

公开(公告)号：CN106977540A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN111943978B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN112341489B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]#imgabs0#其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN109134546B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。