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公开(公告)号:CN106336422B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201610529169.5
申请日:2016-07-06
Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。
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公开(公告)号:CN110272438A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910053529.2
申请日:2019-01-21
IPC: C07F5/00 , C07F7/10 , H01L21/288 , H01L21/336 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40
Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法,所述化合物由以下式1表示,其中,在式1中,R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基,R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基,R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基,并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]
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公开(公告)号:CN113862635A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202110737506.0
申请日:2021-06-30
IPC: C23C16/06 , C23C16/02 , C23C16/44 , H01L21/762
Abstract: 根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环,沉积循环包括:在衬底上提供吸附抑制剂;吹扫过量的吸附抑制剂;在衬底上提供金属前体;吹扫过量的金属前体;以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。
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公开(公告)号:CN106336422A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610529169.5
申请日:2016-07-06
Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。
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公开(公告)号:CN114447222A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202110775788.3
申请日:2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括:下部电极;设置成与所述下部电极间隔开的上部电极;以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层,所述介电层包括:第一金属氧化物区域,其包括以下的一种或多种:Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu;第二金属氧化物区域,其包括以下的一种或多种:Y、Sc或Ce;和第三金属氧化物区域,其包括以下的一种或多种:Al、Mg或Be。
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公开(公告)号:CN115528172A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202210384361.5
申请日:2022-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述IC装置包括:下电极,其包括第一金属;电介质膜,其位于下电极上;以及导电界面层,其位于下电极与电介质膜之间。导电界面层包括包含至少一种金属元素的金属氧化物膜。包括第二金属的上电极与下电极相对,且导电界面层和电介质膜位于上电极与下电极之间。为了制造IC装置,在衬底上,包括金属的电极与绝缘图案相邻形成。在电极的表面上选择性地形成包括包含至少一个金属元素的金属氧化物膜的导电界面层。电介质膜被形成为与导电界面层和绝缘图案接触。
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公开(公告)号:CN113764417A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110262666.4
申请日:2021-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括:导电柱,在半导体衬底上;第一支撑图案,所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接,所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔;封盖导电图案,所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案,所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触;以及电介质层,所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案,所述电介质层与所述导电柱间隔开。
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公开(公告)号:CN111471068A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201911395054.1
申请日:2019-12-30
Abstract: 提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法,所述锡化合物由式1表示,其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]
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公开(公告)号:CN110931468A
公开(公告)日:2020-03-27
申请号:CN201910822831.X
申请日:2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件,其包括:下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构,该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括:第一电介质层,包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒;以及第二电介质层,包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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