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公开(公告)号：CN115528172A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210384361.5
申请日：2022-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述IC装置包括：下电极，其包括第一金属；电介质膜，其位于下电极上；以及导电界面层，其位于下电极与电介质膜之间。导电界面层包括包含至少一种金属元素的金属氧化物膜。包括第二金属的上电极与下电极相对，且导电界面层和电介质膜位于上电极与下电极之间。为了制造IC装置，在衬底上，包括金属的电极与绝缘图案相邻形成。在电极的表面上选择性地形成包括包含至少一个金属元素的金属氧化物膜的导电界面层。电介质膜被形成为与导电界面层和绝缘图案接触。
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