公开(公告)号：CN115589720A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210193311.9

申请日：2022-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  辛瑜曔 ,  李珍镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；底部电极，在基底上，每个底部电极包括第一区域和第二区域，第二区域相对于第一区域包含额外元素；第一支撑图案，在基底上且与每个底部电极的侧表面的一部分接触；顶部电极，在底部电极上；介电层，在底部电极与顶部电极之间；以及覆盖层，在底部电极与介电层之间，覆盖层覆盖第一支撑图案的顶表面和底表面，其中，第二区域与覆盖层接触，并且覆盖层和介电层包括彼此不同的材料。

公开(公告)号：CN115528172A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210384361.5

申请日：2022-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  金圣铉

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/13 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述IC装置包括：下电极，其包括第一金属；电介质膜，其位于下电极上；以及导电界面层，其位于下电极与电介质膜之间。导电界面层包括包含至少一种金属元素的金属氧化物膜。包括第二金属的上电极与下电极相对，且导电界面层和电介质膜位于上电极与下电极之间。为了制造IC装置，在衬底上，包括金属的电极与绝缘图案相邻形成。在电极的表面上选择性地形成包括包含至少一个金属元素的金属氧化物膜的导电界面层。电介质膜被形成为与导电界面层和绝缘图案接触。

公开(公告)号：CN118335725A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410041311.6

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李珍镐 ,  金东昡 ,  金泛锡 ,  金载兴 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 提供电容器和包括其的电子器件。所述电容器包括第一电极层、第二电极层、设置在第一电极层和第二电极层之间的电介质层、以及设置在第一电极层和电介质层之间的中间层。所述中间层包括第一界面材料，所述第一界面材料包括至少一种第13族元素，并且所述至少一种第13族元素不为铝(Al)。

公开(公告)号：CN113862635A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110737506.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 金润洙 ,  金在员 ,  金海龙 ,  李珍镐 ,  翼白鸟

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/762

Abstract: 根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环，沉积循环包括：在衬底上提供吸附抑制剂；吹扫过量的吸附抑制剂；在衬底上提供金属前体；吹扫过量的金属前体；以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。