半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115589720A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202210193311.9

    申请日:2022-03-01

    Abstract: 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底;底部电极,在基底上,每个底部电极包括第一区域和第二区域,第二区域相对于第一区域包含额外元素;第一支撑图案,在基底上且与每个底部电极的侧表面的一部分接触;顶部电极,在底部电极上;介电层,在底部电极与顶部电极之间;以及覆盖层,在底部电极与介电层之间,覆盖层覆盖第一支撑图案的顶表面和底表面,其中,第二区域与覆盖层接触,并且覆盖层和介电层包括彼此不同的材料。

    半导体器件
    2.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114267788A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111079272.1

    申请日:2021-09-15

    Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件可以包括依次堆叠在半导体基板上的底电极、电介质层和顶电极。底电极包括:与电介质层接触的第一掺杂区;主区,通过第一掺杂区而与电介质层间隔开,该第一掺杂区介于主区和电介质层之间;以及在第一掺杂区和主区之间的第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区中的每个包括氧和掺杂金属。在一些实施方式中,第二掺杂区还可以包括氮。主区可以没有所述掺杂金属。第二掺杂区中的氧的量小于第一掺杂区中的氧的量。

Patent Agency Ranking