公开(公告)号：CN115589720A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210193311.9

申请日：2022-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  辛瑜曔 ,  李珍镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；底部电极，在基底上，每个底部电极包括第一区域和第二区域，第二区域相对于第一区域包含额外元素；第一支撑图案，在基底上且与每个底部电极的侧表面的一部分接触；顶部电极，在底部电极上；介电层，在底部电极与顶部电极之间；以及覆盖层，在底部电极与介电层之间，覆盖层覆盖第一支撑图案的顶表面和底表面，其中，第二区域与覆盖层接触，并且覆盖层和介电层包括彼此不同的材料。

公开(公告)号：CN114267788A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111079272.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  朴瑛琳 ,  安敞茂 ,  宋鸿善 ,  辛瑜曔

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件可以包括依次堆叠在半导体基板上的底电极、电介质层和顶电极。底电极包括：与电介质层接触的第一掺杂区；主区，通过第一掺杂区而与电介质层间隔开，该第一掺杂区介于主区和电介质层之间；以及在第一掺杂区和主区之间的第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区中的每个包括氧和掺杂金属。在一些实施方式中，第二掺杂区还可以包括氮。主区可以没有所述掺杂金属。第二掺杂区中的氧的量小于第一掺杂区中的氧的量。