公开(公告)号：CN114267788A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111079272.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  朴瑛琳 ,  安敞茂 ,  宋鸿善 ,  辛瑜曔

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件可以包括依次堆叠在半导体基板上的底电极、电介质层和顶电极。底电极包括：与电介质层接触的第一掺杂区；主区，通过第一掺杂区而与电介质层间隔开，该第一掺杂区介于主区和电介质层之间；以及在第一掺杂区和主区之间的第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区中的每个包括氧和掺杂金属。在一些实施方式中，第二掺杂区还可以包括氮。主区可以没有所述掺杂金属。第二掺杂区中的氧的量小于第一掺杂区中的氧的量。

公开(公告)号：CN119947127A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411069213.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世渶 ,  金多希 ,  宋鸿善 ,  李旺坤 ,  郑淑真 ,  金范宗

IPC: H10D1/68

Abstract: 提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下电极；位于所述下电极上的电介质层；面向所述下电极的上电极，所述电介质层位于所述上电极与所述下电极之间；以及位于所述电介质层与所述上电极之间的界面结构，其中，所述界面结构包括：第一界面层和第二界面层以及位于所述第一界面层与所述第二界面层之间的高带隙界面层，其中，所述高带隙界面层的第三带隙大于所述第一界面层的第一带隙并且大于所述第二界面层的第二带隙。