公开(公告)号：CN116615094A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202211221687.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范宗 ,  林汉镇

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器结构和包括电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括：第一电极，在基底上，并且在与基底的上表面基本平行的水平方向上彼此间隔开；第一支撑图案，接触第一电极的侧壁；介电层，在第一电极的表面和第一支撑图案的表面上；以及第二电极，在介电层上。第一支撑图案在与基底的上表面基本平行的第一方向上布置，第一支撑图案接触第一电极的在第二方向上的中心部分的侧壁，第二方向与基底的上表面基本平行并与第一方向基本正交，并且第一支撑图案不与第一电极的在第二方向上的边缘部分的侧壁接触。

公开(公告)号：CN120035148A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411571345.2

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金志星 ,  金范宗 ,  丁炯硕

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/10

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括下电极、在下电极上的上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构。电介质层结构包括与下电极接触的第一电介质层、与第一电介质层接触的第二电介质层以及与上电极接触的第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括反铁电材料。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层的反铁电材料为相同材料类型，并且硅掺杂剂被包括在与第一电介质层和下电极之间的界面相邻的区域以及与第三电介质层和上电极之间的界面相邻的区域中。

公开(公告)号：CN119947127A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411069213.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世渶 ,  金多希 ,  宋鸿善 ,  李旺坤 ,  郑淑真 ,  金范宗

IPC: H10D1/68

Abstract: 提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下电极；位于所述下电极上的电介质层；面向所述下电极的上电极，所述电介质层位于所述上电极与所述下电极之间；以及位于所述电介质层与所述上电极之间的界面结构，其中，所述界面结构包括：第一界面层和第二界面层以及位于所述第一界面层与所述第二界面层之间的高带隙界面层，其中，所述高带隙界面层的第三带隙大于所述第一界面层的第一带隙并且大于所述第二界面层的第二带隙。