公开(公告)号：CN118804678A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410439499.X

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金志星 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B53/30

Abstract: 实施方式提供了电容器和包括电容器的半导体器件。根据至少一个实施方式的电容器可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间并包括铁电层和设置在铁电层中的辅助部分的电介质层，其中辅助部分的能带隙Eg可以低于约4.0eV。

公开(公告)号：CN114065309A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110882747.4

申请日：2021-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申晧荣 ,  郭成雄 ,  金志星 ,  姜信旭

IPC: G06F21/73 ,  G11C7/12 ,  G11C7/16 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10

Abstract: 一种安全设备包括：物理不可克隆功能(PUF)单元阵列，包括与字线和位线连接的PUF单元；第一解码器电路，将与目标PUF单元连接的第一位线与第一数据线连接，并将与参考PUF单元连接的第二位线与第二数据线连接；数模转换器(DAC)控制电路，输出第一数字码和第二数字码；电源电压和第一数据线之间的第一DAC，第一DAC响应于第一数字码而生成第一模拟输出；电源电压和第二数据线之间的第二DAC，第二DAC响应于第二数字码而生成第二模拟输出；以及读出放大器，将第一模拟输出和第二模拟输出进行比较并输出比较结果。

公开(公告)号：CN120035148A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411571345.2

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金志星 ,  金范宗 ,  丁炯硕

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/10

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括下电极、在下电极上的上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构。电介质层结构包括与下电极接触的第一电介质层、与第一电介质层接触的第二电介质层以及与上电极接触的第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括反铁电材料。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层的反铁电材料为相同材料类型，并且硅掺杂剂被包括在与第一电介质层和下电极之间的界面相邻的区域以及与第三电介质层和上电极之间的界面相邻的区域中。

公开(公告)号：CN118678665A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311768945.3

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金志星 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括第一杂质区和第二杂质区；第一字线，其在衬底的区中，且第一杂质区在第一字线的一侧上，而第二杂质区在第一字线的另一侧上；位线，其连接至第一杂质区；第一导电图案，其连接至第二杂质区；第一导电图案上的第一局部电极和第二局部电极；第一电介质层，其接触第一局部电极的上表面和第二局部电极的上表面；以及第一电介质层上的公共电极。第一局部电极的上表面的面积可与第二局部电极的上表面的面积不同。