公开(公告)号：CN119108428A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410738404.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  福留秀畅 ,  金珍圭 ,  南润锡 ,  李东润

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置可包括：在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的绝缘图案；设置在绝缘图案在第一方向上的侧表面上的衬底绝缘层；设置在绝缘图案在第二方向上的侧表面上的器件隔离层；设置在绝缘图案上并且在垂直于器件隔离层的上表面的竖直方向上彼此间隔开的多个沟道层；栅极结构，其被配置为与绝缘图案竖直地重叠并围绕多个沟道层中的每一个，并且在第二方向上延伸；设置在栅极结构外部的源极/漏极区；以及在源极/漏极区下方电连接到源极/漏极区的背面接触结构，其中，绝缘图案包括从器件隔离层的上表面沿竖直方向突出的突起，多个沟道层中最下面的沟道层的下表面与突起的上表面之间的竖直距离大于多个沟道层之间的竖直距离。

公开(公告)号：CN118198031A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311525559.1

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  金珍圭 ,  罗相喆 ,  南润锡 ,  李敬雨 ,  福留秀畅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。

公开(公告)号：CN117497537A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310423021.3

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车承珉 ,  宋昇珉 ,  金荣佑 ,  金珍圭 ,  刘素罗 ,  李南玹 ,  李城门

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/535

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；掩埋轨道，穿过器件分隔层连接到电力布线，并且掩埋轨道的水平宽度朝向电力布线减小；以及电力过孔，将掩埋轨道连接到第一导电插塞。

公开(公告)号：CN116031209A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211311828.X

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  金珍圭 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  徐基圣

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底沿第一方向延伸并具有第一区域和第二区域的半导体结构；形成与半导体结构的第一区域相交并沿垂直于第一方向的第二方向延伸的牺牲栅图案；减小半导体结构的暴露于牺牲栅图案的至少一侧的第二区域在第二方向上的宽度；通过去除半导体结构的第二区域的一部分来形成至少一个凹陷部分；在牺牲栅图案的至少一侧在半导体结构的凹陷部分中形成一个或多个源/漏区；通过去除牺牲栅图案形成至少一个间隙区；以及通过在间隙区沉积栅介电层和栅电极来形成栅结构。