公开(公告)号：CN107230663B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201710136243.1

申请日：2017-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/60

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：下封装件；金属层，位于下封装件上；接地构件，位于金属层上，结合到金属层；以及上封装件，位于下封装件上。上封装件包括位于第一绝缘图案上的接地图案。第一绝缘图案位于上封装件的底表面上，并具有暴露接地图案的孔。接地构件在孔内部延伸并结合到接地图案。

公开(公告)号：CN108962114A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810364365.0

申请日：2018-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛永敏 ,  金容勋 ,  郑然宇

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/32 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0243 ,  G09G2310/0264 ,  G09G2310/027 ,  G09G2320/0276 ,  G09G2320/0285 ,  G09G2360/16 ,  H04N5/202 ,  G09G3/20

Abstract: 一种显示驱动电路包括：比较器，被配置为将多个像素数据中的第一像素数据与所述多个像素数据中的第二像素数据进行比较，所述多个像素数据分别对应于连接到数据线的多个像素；预加重控制器，被配置为基于比较器的比较结果和用作用于划分所述多个像素的基准的多个伽马段点之中与第二像素数据相邻的伽马段点来计算偏移；计算器，被配置为基于第二像素数据和所述偏移来计算预加重像素数据；以及输出电路，被配置为通过数据线将与预加重像素数据对应的预加重灰度电压和与第二像素数据对应的目标灰度电压发送到显示面板。

公开(公告)号：CN102956587B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210292292.1

申请日：2012-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兴奎 ,  辛成浩 ,  崔允硕 ,  金容勋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体封装、封装堆叠结构及其上封装。该封装堆叠结构包括：上封装，包括具有第一边缘和与其相反的第二边缘的上封装基板，上封装基板具有靠近第一边缘布置的第一区和靠近第二边缘布置的第二区，上封装包括叠置在上封装基板上的第一上半导体器件；下封装，具有下封装基板和下半导体器件并且通过多个封装间连接器连接到上封装。多个封装间连接器包括：第一封装间连接器，传输数据信号；第二封装间连接器，传输地址/控制信号；第三封装间连接器，提供用于地址/控制电路的电源电压；第四封装间连接器，提供用于数据电路的电源电压。第一和第二封装间连接器的大部分设置在第一区中，而第三封装间连接器的大部分设置在第二区中。

公开(公告)号：CN111223835B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201911153469.8

申请日：2019-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣官 ,  许荣植 ,  韩泰熙 ,  金容勋 ,  李润泰

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495

公开(公告)号：CN109801885B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201811207296.9

申请日：2018-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金吉洙 ,  金容勋 ,  吴琼硕 ,  黄泰周

IPC: H01L23/367

Abstract: 一种电子设备，包括：电路板；半导体器件封装，安装在电路板上，该半导体器件封装包括连接到电路板的封装衬底，并排地安装在封装衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，以及围绕第一半导体器件的侧壁和第二半导体器件的侧壁的模制件，该模制件不覆盖第一半导体器件的顶表面；以及散热结构，在半导体器件封装上，第一半导体器件的顶表面与散热结构接触。

公开(公告)号：CN116783846A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280010275.6

申请日：2022-01-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 朴贤哲 ,  宋浩镇 ,  崔胜旭 ,  金容勋 ,  闵东奎 ,  青木雄一

IPC: H04B17/12

Abstract: 本公开涉及支持比第四代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))更高数据速率的第五代(5G)、超5G和未来代的通信系统。无线通信系统中的电子设备可以包括：处理器、天线阵列、与第一流相关联的多个第一射频(RF)路径，其中，第一RF路径中的每一个包括发送(TX)路径和接收(RX)路径，以及与第二流相关联的多个第二RF路径，其中，第二RF路径中的每一个包括发送路径和接收路径，并且其中，处理器被配置为：生成用于天线阵列的校准信号，基于针对多个第一RF路径中的每个测量RF路径获得的具有第一流的一个TX路径和具有第二流的一个RX路径之间的相位差或增益差来获得天线阵列的特性信息，以及基于特性信息校准多个第一RF路径。

公开(公告)号：CN111834354A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010165748.2

申请日：2020-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋 ,  林栽贤 ,  李润泰 ,  姜思尹

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装件结构，包括包含重新分布层的基体连接构件、包含连接到重新分布层的多个第一连接垫的第一半导体芯片、设置在基体连接构件上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分的包封剂以及设置在包封剂上并包含电连接到重新分布层的背侧布线层的背侧连接构件；以及第二半导体芯片，设置在基体连接构件或背侧连接构件上，第二半导体芯片包括连接到重新分布层或背侧布线层的多个第二连接垫，第二半导体芯片还包括逻辑电路，第一半导体芯片还包括通过重新分布层和背侧布线层中的至少一者连接到逻辑电路的逻辑输入端子和逻辑输出端子。

公开(公告)号：CN110299354A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910046513.9

申请日：2019-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金吉洙 ,  金容勋 ,  金贤基 ,  吴琼硕

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/552

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；下半导体芯片，在封装基板上；散热构件，在下半导体芯片上，所述散热构件具有水平单元和与水平单元相连的竖直单元；第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠，在水平单元上；以及模制构件，其围绕所述下半导体芯片、第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠以及散热构件。竖直单元可以布置在第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠之间，并且竖直单元的上表面可以在模制构件中暴露。

公开(公告)号：CN110120388A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910095219.7

申请日：2019-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482

Abstract: 一种半导体封装，包括：封装基板；封装基板上的逻辑芯片；封装基板上的存储器堆叠结构，包括沿第一方向堆叠的第一导体芯片和第二半导体芯片；以及封装基板和存储器堆叠结构之间的第一凸块。逻辑芯片和存储器堆叠结构沿着与第一方向交叉的第二方向在封装基板上间隔开。第一半导体芯片包括：电连接到第二半导体芯片的穿通孔、连接到穿通孔的芯片信号焊盘、以及电连接到芯片信号焊盘且具有与第一凸块接触的边缘信号焊盘的第一再分布层。沿第二方向的逻辑芯片和边缘信号焊盘之间的距离小于逻辑芯片和芯片信号焊盘之间的距离。

公开(公告)号：CN102867813A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210171275.2

申请日：2012-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋 ,  崔仁虎 ,  金京范

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5225 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种电子装置。该电子装置包括设置在电路基底上的第一半导体封装。第二半导体封装设置在电路基底上，并与第一半导体封装隔开。绝缘的电磁屏蔽结构设置在第一半导体封装的顶表面和侧表面上。导电的电磁屏蔽结构设置在电路基底上，以覆盖第一半导体封装、第二半导体封装及绝缘的电磁屏蔽结构。