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公开(公告)号：CN116895656A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310221219.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。
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公开(公告)号：CN101086788A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710108571.7
申请日：2007-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T15/00
CPC classification number: G06K9/32 , G06T7/97 , G06T2207/10012
Abstract: 为了立体匹配，从立体图像提取边缘图像。从映射到能够在预定大小窗口内出现的预定边缘形式的预定边罩中搜索与参考边缘像素相关的窗口的边缘形式匹配的边罩，所述预定大小窗口以边缘图像的参考边缘图像的边缘像素中的参考边缘像素为中心。在边缘图像的搜索边缘图像的边缘像素中，搜索位于窗口的中心的边缘像素，并且将搜索的边缘像素设置为映射到对参考边缘像素的相应点的相应边缘像素，所述窗口具有与搜索的边罩匹配的边缘形式。其中，在参考边缘图像的边缘像素中，参考边缘像素用于当前从搜索边缘图像搜索相应边缘像素。
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公开(公告)号：CN119629995A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410898008.8
申请日：2024-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体器件包括：第一有源区，包括下沟道图案和下源极/漏极图案，下沟道图案包括在第一方向上堆叠并且彼此间隔开的多个下半导体图案，下半导体图案包括第一半导体图案；堆叠在第一有源区上的第二有源区，包括上沟道图案和上源极/漏极图案；在下沟道图案上的下栅电极；以及在第一半导体图案下方的下绝缘图案。下栅电极包括与下绝缘图案的第一侧壁相邻并且在第一方向上从下栅电极的上表面延伸到底表面的第一部分、与下绝缘图案的第二侧壁相邻并且在第一方向上从下栅电极的上表面延伸到底表面的第二部分、以及与下绝缘图案的底表面接触并且在第二方向上从第一部分延伸到第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：CN119584623A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410375132.6
申请日：2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括有源图案；沟道图案，包括第一半导体图案和第二半导体图案；源/漏图案，连接到第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，包括第一半导体图案与第二半导体图案之间的电极；以及绝缘层，在第一半导体图案和第二半导体图案与电极之间。绝缘层包括介电层和介电层上的间隔物，该介电层包围电极。间隔物包括：水平部分，在介电层与第二半导体图案之间；竖直部分，在介电层与源/漏图案之间；以及角部部分，将水平部分连接到竖直部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度，并且第二厚度小于角部部分的第三厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119562589A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410662505.8
申请日：2024-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：下图案，在第一方向上延伸；第一沟道图案，在下图案上并且包括多个第一片状图案；下图案上的第二沟道图案，包括多个第二片状图案并且与第一沟道图案间隔开；第一栅结构，围绕第一片状图案延伸，并且包括第一栅电极和第一栅绝缘膜；第二栅结构，围绕第二片状图案延伸，并且包括第二栅电极和第二栅绝缘膜；第一栅封盖图案；以及第二栅封盖图案。第一片状图案的数量不同于第二片状图案的数量，并且第一栅封盖图案的厚度不同于第二栅封盖图案的厚度。
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公开(公告)号：CN118412351A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311375926.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/06
Abstract: 一种三维堆叠场效应晶体管可以包括：包括第一后侧电源线和第二后侧电源线的后侧布线层、在后侧布线层上的第一场效应晶体管、在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管、在第二场效应晶体管上方的前侧布线层、将第一场效应晶体管连接到第二场效应晶体管的第一贯通电极、以及连接前侧电源线和后侧电源线的第二贯通电极。前侧布线层可以在第一方向上延伸，并且可以包括连接到第二后侧电源线的前侧电源线。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管可以共享在第二方向上延伸的栅极。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一个可以包括在第一方向上分别位于栅极的两侧的源极和漏极、以及在源极和漏极之间并且被栅极围绕的沟道。
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公开(公告)号：CN110739311B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910603163.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00 , H01L27/02 , H01L29/417 , H01L21/762 , H01L21/28
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底的逻辑单元区域的PMOSFET部分上的第一有源图案、在逻辑单元区域的NMOSFET部分上的第二有源图案、在衬底的存储单元区域上的第三有源图案、在第三有源图案之间的第四有源图案、以及填充多个第一沟槽和多个第二沟槽的器件隔离层。每个第一沟槽插置在第一有源图案之间和第二有源图案之间。每个第二沟槽插置在第四有源图案之间以及在第三有源图案与第四有源图案之间。第三有源图案和第四有源图案的每个包括彼此垂直间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。
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公开(公告)号：CN112867895B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201980068552.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种空气调节器，该空气调节器包括：包括通孔的第一框架；可旋转地联接到第一框架的第二框架，第二框架包括翻边部分和由翻边部分形成的翻边孔，该翻边部分的至少一部分沿第一方向可插入通孔中，其中当翻边部分插入第一框架的通孔中时，翻边部分沿第一方向突出；以及紧固构件，沿与第一方向相反的第二方向可插入翻边孔中，并被配置成用作第二框架的旋转轴，其中当紧固构件插入翻边孔中时，紧固构件沿第二方向突出。
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