衬底接合设备和衬底接合方法

    公开(公告)号:CN110875219B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN201910807004.3

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 提供了衬底接合设备和衬底接合方法。衬底接合设备包括:衬底基座,支撑第一衬底;位于衬底基座上方的衬底保持器,保持第二衬底;衬底保持器包括多个可独立移动的保持指状物;以及腔室壳体,容纳衬底基座和衬底保持器。

    旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统

    公开(公告)号:CN109801857B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN201811265964.3

    申请日:2018-10-29

    Inventor: 全炫周 金圣协

    Abstract: 提供了一种旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统。所述旋涂机包括:可旋转吸盘结构,所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板;凹腔,所述凹腔围绕所述基板并且将所述基板周围的流体的流引导到所述凹腔的底部;以及流控制器,所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔,使得所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间并且将所述流分成直线流和非直线流。

    晶圆卡盘台
    13.
    发明公开
    晶圆卡盘台 审中-实审

    公开(公告)号:CN116364642A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211710531.0

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 一种晶圆卡盘台包括:中心板,其具有多个第一突起,每个第一突起具有至少部分地限定第一参考平面的上端;分段板,其围绕中心板布置并且具有多个第二突起,每个第二突起具有至少部分地限定第二参考平面的上端,使得分段板具有至少部分地限定单独的相应第二参考平面的单独的相应多个第二突起;以及驱动单元,其被配置为调节分段板相对于中心板的倾斜角度,使得第一参考平面和单独的相应第二参考平面共面。

    基底结合设备和利用其结合基底的方法

    公开(公告)号:CN109935524A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201811465732.2

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 一种基底结合设备和一种结合基底的方法,该设备包括:上卡盘,将第一基底固定到上卡盘的下表面上,使得第一基底向下变形为凹表面轮廓;下卡盘,布置在上卡盘下方并且将第二基底固定到下卡盘的上表面上,使得第二基底向上变形为凸表面轮廓;以及卡盘控制器,控制上卡盘和下卡盘以分别固定第一基底和第二基底,并且生成将第二基底的形状从平坦表面轮廓改变为凸表面轮廓的形状参数。

    旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统

    公开(公告)号:CN109801857A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201811265964.3

    申请日:2018-10-29

    Inventor: 全炫周 金圣协

    Abstract: 提供了一种旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统。所述旋涂机包括:可旋转吸盘结构,所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板;凹腔,所述凹腔围绕所述基板并且将所述基板周围的流体的流引导到所述凹腔的底部;以及流控制器,所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔,使得所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间并且将所述流分成直线流和非直线流。

    用于EUV光的光源容器
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118259555A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311753012.7

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 一种用于极紫外(EUV)光的光源容器,包括:主体,包括设置在中心部分中的用于排出锡碎片的出口和设置在上端部分中的中间焦点(IF);以及反射器,设置在主体的下端,并包括激光通过的通孔。主体包括:设置在中间焦点的下部上的IF封盖部分,包括设置在其外表面上的加热器;以及设置在中间焦点的上部上的IF扫描器部分,包括设置在其外表面上的冷却管。IF封盖部分的内表面包括锡残渣流经的流槽,并且该光源容器还包括与流槽连接的收集容器。

    基板处理装置
    19.
    发明公开
    基板处理装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117930592A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311391987.X

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 一种基板处理装置包括:在曝光腔室中的台,曝光腔室被配置为对半导体基板执行曝光工艺;引导器件,包括在第一水平方向上可滑动地移动的第一水平驱动体和在第一水平驱动体上并具有沟槽的导轨,导轨在第二水平方向上延伸;连接到引导器件的定位器件,该定位器件包括滑块、第二水平驱动体和基板台,滑块配置为沿着沟槽在第二水平方向上可滑动地移动,第二水平驱动体连接或固定到滑块,基板台在第二水平驱动体上并被配置为支撑半导体基板;以及在导轨和基板台之间的阻挡构件,以阻挡异物流入到基板台上。

    用于加热晶片的设备
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117637529A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311041976.9

    申请日:2023-08-18

    Abstract: 一种用于加热晶片的设备包括:加热器;在加热器的上表面上的加热块;以及从加热块的上表面突出的多个支撑突出部,其中,加热块的上表面具有中心部分成凹形的弯曲形状,并且所述多个支撑突出部当中至少在加热块的中心部分处的支撑突出部被构造为响应于加热器的加热而变形。

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