公开(公告)号：CN101082751B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200710136282.8

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑美惠 ,  孙智媛 ,  梁成勋 ,  朴振远 ,  赵善儿

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1393

Abstract: 一种液晶显示装置，包括第一基板、第二基板和插设其间的液晶层。该第一基板包括像素电极、连接到像素电极的薄膜晶体管及连接像素电极的下部和上部电极的联结器。该第二基板包括具有下部区域分隔部分和上部区域分隔部分的公共电极，其中每个区域分隔部分分别地形成在与像素电极的下部和上部电极相对应的位置。通过将电场控制器连接在像素电极的上部电极的两侧，显示图像的质量能得到改善，而没有暗区发生在像素单元的一部分。

公开(公告)号：CN101232041A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810000902.X

申请日：2008-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉濬 ,  崔龙模 ,  崔凡洛 ,  梁成勋 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  许宗茂

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 显示器件包括：绝缘基板；形成在绝缘基板上的开关TFT，开关TFT接收数据电压并包括第一半导体层；形成在基板上的驱动TFT，驱动TFT包括与开关TFT的输出终端连接的控制终端和含有多晶硅和卤素材料的第二半导体层；绝缘层，形成在开关TFT和驱动TFT上；第一电极，形成在绝缘层上并电连接到驱动TFT的输出终端；有机发光层，形成在第一电极上；和第二电极，形成在有机发光层上。本发明还涉及显示器件的制造方法。

公开(公告)号：CN1992350A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610168227.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皇甫尚佑 ,  金时烈 ,  梁成勋 ,  李禹根

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括底基板、栅电极、栅极绝缘层、表面处理层、有源层、源电极和漏电极。栅电极形成在底基板上。栅极绝缘层形成在底基板上，以覆盖栅电极。表面处理层通过用含氮气体处理栅极绝缘层而形成在栅极绝缘层上，以防止泄漏电流。有源层形成在表面处理层上，以覆盖栅电极。彼此隔开预定距离的源电极和漏电极形成在有源层上。

公开(公告)号：CN1689025A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823930.2

申请日：2003-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  崔埈厚

IPC: G06K9/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G06K9/0004 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312

Abstract: 公开了一种具有用于提高开口率和TFT－LCD面板的透射率的指纹识别装置的液晶显示装置。指纹识别基板(400)贴附到TFT基板(300)上。该TFT基板具有阵列上彩色滤光片结构，该结构可取消彩色滤光片(336)和薄膜晶体管，增大了开口率，且提高了图像显示质量。此外，透射率随着液晶显示装置中所用的玻璃基板数量的减少而增大，因此提高了指纹识别的灵敏度。

公开(公告)号：CN1646726A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808847.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  洪完植 ,  郑宽旭

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: G02F1/136227 ,  C23C16/30 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN101026093A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710079362.4

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 库纳尔·吉罗特拉 ,  金秉浚 ,  梁成勋

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

Abstract: 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4－H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。

公开(公告)号：CN1983607A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166776.6

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇宰 ,  梁成勋

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其制造方法，该显示装置避免了薄膜边缘的剥离，并具有：包括显示区和非显示区的塑料绝缘基板；使用设置在塑料绝缘基板上的阴影掩模而形成在该塑料绝缘基板上的栅线组件；栅极绝缘层，形成在显示区中的栅线组件上；形成在栅极绝缘层上的数据线和形成在非显示区中并与栅极绝缘层分开的数据焊盘；以及形成在数据线上的钝化层。

公开(公告)号：CN1320488C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03823930.2

申请日：2003-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  崔埈厚

IPC: G06K9/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G06K9/0004 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312

Abstract: 公开了一种具有用于提高开口率和TFT-LCD面板的透射率的指纹识别装置的液晶显示装置。指纹识别基板(400)贴附到TFT基板(300)上。该TFT基板具有阵列上彩色滤光片结构，该结构可取消彩色滤光片(336)和薄膜晶体管的不对准，增大了开口率，且提高了图像显示质量。此外，透射率随着液晶显示装置中所用的玻璃基板数量的减少而增大，因此提高了指纹识别的灵敏度。

公开(公告)号：CN1953189A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610136251.8

申请日：2006-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇宰 ,  洪雯杓 ,  金秉濬 ,  梁成勋

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/133305 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种薄膜晶体管TFT基板，包括：塑料绝缘基板；形成于所述塑料绝缘基板的一个表面上的具有第一折射率的第一氮化硅层；以及TFT，其包括形成于所述第一氮化硅层上的具有小于所述第一折射率的第二折射率的第二氮化硅层。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中，缓解了薄膜从塑料绝缘基板上脱落的问题。

公开(公告)号：CN1786801A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510127692.7

申请日：2005-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  库纳尔·萨蒂亚布尚·吉罗特拉 ,  金秉浚

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板，包括：基底；具有栅电极的栅极线；形成在栅极线上的栅极绝缘层；具有源电极的数据线和与源电极隔开的漏电极；形成在数据线和漏电极上的钝化层；以及连接至漏电极的像素电极。TFT阵列面板进一步包括位于栅极绝缘层和钝化层的至少一个之下的包括Si的保护层，从而增加可靠性。