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公开(公告)号：CN1975534A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610172897.1
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/133 , G09G3/36 , H05B37/02
CPC classification number: G09G3/3413 , G09G2320/0633 , G09G2320/064 , G09G2320/0666 , G09G2360/145
Abstract: 一种液晶显示装置，包括背光组件，该背光组件包括用于驱动包括用作光源的发光二极管(LED)的背光的器件，其对于控制每种颜色光的亮度具有高效率和高可靠性。驱动器件驱动分别发射第一、第二和第三光的第一、第二和第三LED单元。驱动器件包括：第一驱动部分，其响应于亮度控制信号而发射第一光并响应于第一光的第一亮度而输出参考控制信号；第二驱动部分，其响应于参考控制信号而驱动产生其第二亮度受到控制的第二光的第二LED单元；以及第三驱动单元，其响应于参考控制信号而驱动产生其第三亮度受到控制的第三光的第三LED单元。
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公开(公告)号：CN111199278B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201911086263.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067
Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括：存储体，包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元；读出放大器，被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号；以及算术电路，被配置为从读出放大器接收第一操作数，从存储器器件外部接收第二操作数，并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号，通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。
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公开(公告)号：CN109872957B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201811300458.3
申请日：2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。
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公开(公告)号：CN116364719A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211712947.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括第一有源图案，第一有源图案具有第一下图案和在第一下图案上的第一片图案。第一栅极结构包括第一栅电极。第二有源图案包括第二下图案。第二片图案在第二下图案上。第二栅极结构包括围绕第二片图案的第二栅电极。第一源极/漏极凹陷在相邻的第一栅极结构之间。第二源极/漏极凹陷在相邻的第二栅极结构之间。第一源极/漏极图案沿着第一源极/漏极凹陷延伸。第一硅锗填充膜在第一硅锗衬垫上。第二源极/漏极图案包括沿着第二源极/漏极凹陷延伸的第二硅锗衬垫。第二硅锗填充膜在第二硅锗衬垫上。
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公开(公告)号：CN115910926A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210979114.X
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112038343A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010465073.3
申请日：2020-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 公开了一种存储器器件，该存储器器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一字线和第一位线，第二区域具有第二字线和第二位线；第一存储单元阵列，包括第一区域中的第一存储单元，第一存储单元阵列具有易失性，并且每个第一存储单元包括具有与第一字线中的对应第一字线相邻的第一沟道区的单元开关以及连接到单元开关的电容器；以及第二存储单元阵列，包括第二区域中的第二存储单元，第二存储单元阵列具有非易失性，并且每个第二存储单元包括与第二字线中的对应第二字线相邻的第二沟道区、以及第二字线的对应第二字线与第二沟道区之间的铁电层。
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公开(公告)号：CN100465723C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510078066.3
申请日：2005-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01L33/00 , G02B3/00
CPC classification number: F21V5/04 , F21V5/008 , F21Y2115/10 , G02B3/04 , G02B19/0014 , G02B19/0061 , G02F1/133603 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供一种用于发光二极管的透镜和采用其的发光二极管。该透镜由折射率为n的材料形成，并且该透镜包括基底、从基底延伸的第一弯曲圆周表面、从第一弯曲圆周表面延伸的弯曲中心-边缘表面，和从该弯曲中心-边缘表面延伸的弯曲最中心表面。该基底包括用来容纳其中的发光芯片的槽。在该透镜中，从基底的中心到弯曲中心-边缘表面的点的距离总是比弯曲中心-边缘表面的该点的曲率半径短。该弯曲最中心表面相对于基底呈凹形。此外，当在透镜的主轴和弯曲最中心表面的点的切线之间所形成的钝角为A1，在连接基底的中心和弯曲最中心表面的该点的直线和透镜的主轴之间所形成的锐角为A2时，该透镜满足等式：A1+A2＜90°+sin-1(1/n)。
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公开(公告)号：CN1782817A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510109670.8
申请日：2005-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133603
Abstract: 本发明涉及一种发光装置和具有该发光装置的显示装置。所述发光装置包括：电路板；多个光源组，设置于电路板上，每个光源组包括三个主光源和至少一个副光源，所述副光源发射具有与每个所述主光源的峰值波长不同的峰值波长的光。
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公开(公告)号：CN118963492A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410048143.3
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 计算设备包括第一管芯，该第一管芯包括：逻辑结构，包括执行针对数据的计算的处理设备；前侧线路结构，设置在逻辑结构的前表面上并且包括线路；以及后侧电力网络结构，设置在逻辑结构的后表面上并且提供电力。该计算设备还包括第二管芯，该第二管芯包括存储器件，该存储器件存储用于处理设备的计算的数据。存储器件包括分别对应于多条通道的多个存储体组，并且第二管芯通过C2C接合方法而接合到后侧电力网络结构上。
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公开(公告)号：CN118398060A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311253776.X
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置、存储器系统和用于操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：模式寄存器，被配置为存储用于指示所述存储器装置的终端电阻的第一码和用于禁用有缺陷电阻器的第二码；以及输出驱动器，包括包含多个上拉电阻器的多个上拉单元和包含多个下拉电阻器的多个下拉单元。输出驱动器被配置为：基于第二码禁用或启用相应的上拉电阻器和下拉电阻器，基于第一码启用所述多个上拉单元之中的包括所述相应的上拉电阻器的上拉单元的子集，并且基于第一码启用所述多个下拉单元之中的包括所述相应的下拉电阻器的下拉单元的子集。
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