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公开(公告)号：CN111199278B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201911086263.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067
Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括：存储体，包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元；读出放大器，被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号；以及算术电路，被配置为从读出放大器接收第一操作数，从存储器器件外部接收第二操作数，并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号，通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111199278A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911086263.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067
Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括：存储体，包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元；读出放大器，被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号；以及算术电路，被配置为从读出放大器接收第一操作数，从存储器器件外部接收第二操作数，并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号，通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。
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公开(公告)号：CN111243636A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910827187.5
申请日：2019-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。当接收到第一命令、第一地址和第一输入数据时，外围电路响应于第一命令基于第一地址从第一存储器单元读取第一数据，通过使用第一数据和第一输入数据执行第一运算，并通过使用第一运算的结果从第二存储器单元读取第二数据。
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公开(公告)号：CN111243636B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910827187.5
申请日：2019-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。当接收到第一命令、第一地址和第一输入数据时，外围电路响应于第一命令基于第一地址从第一存储器单元读取第一数据，通过使用第一数据和第一输入数据执行第一运算，并通过使用第一运算的结果从第二存储器单元读取第二数据。
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公开(公告)号：CN111354761A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911299184.5
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了融合存储器装置及其制造方法。融合存储器装置包括：第一存储器装置，其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第一衬底和位于第一衬底的有源表面上的第一存储器单元电路；非存储器装置，其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第二衬底和位于第二衬底的有源表面上的非存储器电路，所述非存储器装置设置在第一存储器装置上；和第二存储器装置，其位于第二衬底的无源表面上，并且包括与第一存储器单元电路不同的第二存储器单元电路。非存储器装置设置在第一存储器单元电路和第二存储器单元电路之间，并且对第一存储器单元电路和第二存储器单元电路中的每一个的电操作进行控制。
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公开(公告)号：CN111176551A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910741893.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种储存设备，包括：存储器控制器，该存储器控制被配置为在写入操作模式下输出从储存设备的外部接收的用户数据，并且在读取操作模式下接收读取数据；以及存储器设备，该存储器设备包括存储器单元阵列和随机输入和输出(I/O)引擎，随机I/O引擎被配置为在写入操作模式下使用随机I/O码对从存储器控制器提供的用户数据进行编码，并且在读取操作模式下通过使用随机I/O码对由数据I/O电路从存储器单元阵列读取的内部读取数据进行解码来生成读取数据。
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