公开(公告)号：CN111243636B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910827187.5

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊戈尔·沃茨佐夫 ,  黄荣南 ,  金镇民 ,  朴容河 ,  朴贤植 ,  梁宰圆

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/14 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。当接收到第一命令、第一地址和第一输入数据时，外围电路响应于第一命令基于第一地址从第一存储器单元读取第一数据，通过使用第一数据和第一输入数据执行第一运算，并通过使用第一运算的结果从第二存储器单元读取第二数据。

公开(公告)号：CN111243636A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201910827187.5

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊戈尔·沃茨佐夫 ,  黄荣南 ,  金镇民 ,  朴容河 ,  朴贤植 ,  梁宰圆

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/14 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。当接收到第一命令、第一地址和第一输入数据时，外围电路响应于第一命令基于第一地址从第一存储器单元读取第一数据，通过使用第一数据和第一输入数据执行第一运算，并通过使用第一运算的结果从第二存储器单元读取第二数据。