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公开(公告)号：CN106057807A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610130372.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN109768042B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201811316090.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。
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公开(公告)号：CN108695323B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810295185.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。
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公开(公告)号：CN113270498A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110126121.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：基板；防护环，其设置在基板上并且与基板的边缘相邻；集成电路结构，其被防护环围绕并且设置在基板上；以及绝缘材料结构，其设置在防护环的侧表面上，其中，防护环包括在基板上的多个防护有源结构、设置在多个防护有源结构中的每一个上的多个防护接触结构、和设置在多个防护接触结构当中的彼此相邻的一对防护接触结构上的防护互连结构，其中，多个防护有源结构中的每一个包括彼此间隔开的多个防护有源鳍。
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公开(公告)号：CN109768042A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811316090.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762148A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201511021210.X
申请日：2015-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/08
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/53209 , H01L23/535 , H01L29/0847 , H01L29/41783 , H01L29/42356 , H01L29/665 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L27/0928
Abstract: 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。
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公开(公告)号：CN106057887B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201610113173.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 发明构思涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括形成在其上的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间且与基板交叉；以及有源接触件，使第一源极/漏极区和第二源极/漏极区彼此电连接。有源接触件与栅电极分隔开。有源接触件包括：第一子接触件，提供在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上以分别连接到第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二子接触件，提供在第一子接触件上以使第一子接触件彼此电连接；以及阻挡层，提供在第二子接触件和每个第一子接触件之间。
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公开(公告)号：CN109768043A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811324302.9
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括有源图案；器件隔离层，填充一对相邻的有源图案之间的沟槽；栅极电极，在有源图案上；以及栅极接触，在栅极电极上。每个有源图案包括在栅极电极的相反两侧的源极/漏极图案。栅极接触包括第一部分以及第二部分，第一部分与栅极电极竖直地交叠，第二部分从第一部分横向地延伸以使得第二部分与器件隔离层竖直交叠而不与栅极电极竖直交叠。第二部分的底表面相对于第一部分的底表面在基板的远端。第二部分的底表面相对于邻近第二部分的源极/漏极图案的顶部在基板的远端。
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公开(公告)号：CN108807387A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810347421.X
申请日：2018-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L29/423
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；第一栅极结构，其跨越第一有源图案和第二有源图案延伸；第二栅极结构，其与第一栅极结构间隔开；以及节点接触，其在第一栅极结构与第二栅极结构之间，将第一有源图案和第二有源图案彼此电连接。节点接触包括与第一有源图案相邻的第一端和与第二有源图案相邻的第二端。节点接触的第二端在第一方向上相对于节点接触的第一端偏移，从而距离第二栅极结构比距离第一栅极结构更近。
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公开(公告)号：CN106057889A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610168351.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案，沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。
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