公开(公告)号：CN109786378B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201811337662.2

申请日：2018-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  金商瑛 ,  柳炳赞 ,  俞宗昊 ,  D-U.全

IPC: H01L27/088

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域；栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。

公开(公告)号：CN109786378A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811337662.2

申请日：2018-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  金商瑛 ,  柳炳赞 ,  俞宗昊 ,  D-U.全

IPC: H01L27/088

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域；栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。

公开(公告)号：CN109768042B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201811316090.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳炳赞 ,  俞宗昊 ,  李炯宗

IPC: H10D84/83 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。

公开(公告)号：CN109768042A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811316090.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳炳赞 ,  俞宗昊 ,  李炯宗

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。