公开(公告)号：CN108695323B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810295185.1

申请日：2018-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  李炯宗 ,  金炫珍

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN108695323A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810295185.1

申请日：2018-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  李炯宗 ,  金炫珍

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/41775 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/1116

Abstract: 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。