公开(公告)号：CN110970289A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN109837524A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN108063145A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201710599298.6

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  李殷奎 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/14667 ,  B82Y15/00 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/074 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/307

Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。

公开(公告)号：CN118335771A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311554518.5

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  杨智恩 ,  金尚昱 ,  卞卿溵 ,  李殷奎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 公开了一种半导体器件、制造其的方法和各自包括该半导体器件的电子元件和电子装置。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的沟道层、分别在沟道层的两个相反端上并彼此间隔开的第一电极和第二电极、在沟道层上并与第一电极和第二电极间隔开的栅电极、提供在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘材料、以及硫族化合物层，硫族化合物层在栅极绝缘材料和沟道层之间、第一电极和沟道层之间以及第二电极和沟道层之间中的至少之一。

公开(公告)号：CN108063145B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201710599298.6

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  李殷奎 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32

Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。

公开(公告)号：CN115802744A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210517382.X

申请日：2022-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  金尚元 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李殷奎

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的动态随机存取存储器(DRAM)器件。该垂直沟道单元阵列晶体管结构包括：半导体基板；多个沟道，在半导体基板上布置成阵列并且每个从半导体基板垂直地延伸；在所述多个沟道上的栅极绝缘层；多条字线，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及二维(2D)材料层，在所述多条字线中的每条的至少一个表面上。

公开(公告)号：CN115196622A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210207355.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  卞卿溵 ,  赵连柱 ,  申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  申铉振 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  林炫锡

IPC: C01B32/186

Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN106169511A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610157055.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  李相烨 ,  李殷奎 ,  李载昊 ,  朴晟准

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/101

Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。