公开(公告)号：CN115547978A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210305036.5

申请日：2022-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  朴基澈 ,  南瑞祐 ,  李东翼

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，位于基底上；下布线图案，在第一层间绝缘层内部；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；过孔沟槽，在第二层间绝缘层和蚀刻停止层内部并且延伸到下布线图案；过孔，在过孔沟槽内部，并且与第二层间绝缘层接触并由单个膜形成；上布线沟槽，形成在第二层间绝缘层内部并且位于过孔上；以及上布线图案，在上布线沟槽内部并且包括上布线阻挡层和位于上布线阻挡层上的上布线填充层。过孔的上表面与上布线填充层接触。

公开(公告)号：CN118629993A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410234876.6

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  李敬雨

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/367

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源图案，其在衬底的第一表面上并在第一方向上延伸；场绝缘膜，其在第一表面和有源图案的侧表面上；栅极结构，其在有源图案和场绝缘膜上并在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区，其在栅极结构的侧表面上并接触有源图案；以及贯通接触件，其在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸并延伸通过场绝缘膜。该装置还包括在衬底中的接触贯通接触件的埋置图案、在衬底的第二表面上并电连接到埋置图案的背面布线结构、以及在衬底中的与埋置图案相邻的散热结构。散热结构填充从第二表面延伸至衬底中的沟槽。

公开(公告)号：CN118538734A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311832178.8

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣佑 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  罗相喆 ,  李东翼

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；第一鳍型图案，在第一方向上从衬底的第一表面突出，并且在第二方向上延伸；第一源/漏图案，在第一鳍型图案上；第一源/漏接触部，在第一源/漏图案上；接触连接过孔，在第一方向上延伸，并且电连接到第一源/漏接触部；掩埋导电图案，在衬底中，电连接到接触连接过孔，并且具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，掩埋导电图案的第一表面面对第一源/漏接触部；以及第一掩埋绝缘衬层，沿掩埋导电图案的侧壁和沿掩埋导电图案的第一表面延伸。

公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李东翼 ,  金庆旼 ,  金菊喜 ,  金汎镇 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。

公开(公告)号：CN117525133A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310710772.3

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  李东翼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源图案，在第一衬底上延伸；栅电极，在有源图案上延伸；源/漏区，在有源图案上；第一层间绝缘层，在源/漏区上；牺牲层，在第一衬底上；下布线层，在牺牲层的下表面上；通孔沟槽，通过在竖直方向上穿过第一层间绝缘层和牺牲层延伸到下布线层；通孔，在通孔沟槽内部，并连接到下布线层；凹部，在牺牲层内部，并在第二水平方向上从通孔沟槽的侧壁突出；以及通孔绝缘层，沿通孔沟槽的侧壁延伸，并延伸到凹部中。

公开(公告)号：CN117457621A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310904212.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  金菊喜 ,  朴埈范 ,  安宰贤 ,  吴大荣 ,  李东翼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一器件，在第一区域中位于基底上；第二器件，在第二区域中位于基底上；正面互连结构，在基底的正面上且包括电连接到第一器件和第二器件的多个互连层；以及背面掩埋互连结构，与基底的背面相邻，基底的背面与基底的正面相对。背面掩埋互连结构包括背面掩埋绝缘层和背面掩埋导电层，背面掩埋绝缘层位于从基底的背面朝向基底的正面凹陷的沟槽中，背面掩埋导电层位于背面掩埋绝缘层中。背面掩埋互连结构位于第一区域或第二区域中。

公开(公告)号：CN108370393A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072735.2

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在一 ,  金祺宰 ,  金智薰 ,  李东翼

IPC: H04M1/02 ,  H05K5/04 ,  G05B19/18

CPC classification number: G05B19/18 ,  H04M1/02 ,  H05K5/04

Abstract: 根据本公开的各种实施例的电子设备可以包括：壳体，包括面向第一方向的第一板、面向与第一方向相反的第二方向的第二板以及侧部构件，所述侧部构件在垂直于第一方向的第三方向上具有第一厚度，同时至少部分地包围第一板与第二板之间的空间；显示器，在所述壳体内布置在第一板和第二板之间；印刷电路板，在所述壳体内布置在所述显示器与第二板之间；以及内部结构，在所述壳体内布置在印刷电路板与第二板之间，同时在第一方向上具有第二厚度，其中所述内部结构可以包括从侧部构件延伸并且与侧部构件由相同的金属材料制成的平坦部分，并且其中第一厚度的最大值可以大于第二厚度的最大值。如上所述的电子设备可以根据实施例而变化。