公开(公告)号：CN105826463B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201610037265.8

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  权亨峻 ,  金仁皓 ,  朴钟淳

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。

公开(公告)号：CN110581129A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910119597.4

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全庸淏 ,  朴钟撤 ,  明成禹 ,  金廷炫

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，在第一方向上彼此间隔开并在基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；层间绝缘层，覆盖在第一栅极结构和第二栅极结构周围；以及栅极间切割层，在第一方向上穿过第一栅极结构和第二栅极结构以及层间绝缘层，该栅极间切割层包括绝缘材料，其中第一栅极结构和第二栅极结构由栅极间切割层切割，其中在切割第一栅极结构和第二栅极结构的区域处的栅极间切割层的底表面的水平面低于层间绝缘层中的栅极间切割层的底表面的水平面。

公开(公告)号：CN110277388A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910006986.6

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲 ,  朴钟撤 ,  白桂铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括具有从其突出的多个鳍的衬底。所述多个鳍包括多个有源鳍以及设置在所述多个有源鳍中的有源鳍之间的至少一个非有源鳍。该半导体器件还包括与有源鳍的至少一部分交叉的至少一个栅电极。该半导体器件还包括与所述至少一个栅电极相邻地设置在有源鳍上并且通过所述至少一个非有源鳍彼此分开的多个源极/漏极区。

公开(公告)号：CN103794716B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201310532721.2

申请日：2013-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  吴世忠 ,  裵丙才 ,  郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。

公开(公告)号：CN104183551B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410217159.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛允 ,  裵珍惠 ,  权亨峻 ,  朴钟撤 ,  李源俊

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层；执行选择性氧化工艺，以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面没有被氧化；以及经由第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。一种半导体器件可以包括在衬底上的下电极；数据存储部件，在下电极的上表面上；上电极，在数据存储部件上；以及覆盖氧化物层，布置在上电极的上表面的至少一部分上。覆盖氧化物层可以包括通过上电极的上表面的氧化而形成的氧化物。

公开(公告)号：CN108155203A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711276605.3

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括单元结构的堆叠结构、电极结构和加热电极。每个单元结构包括顺序地堆叠的盖层、选择层、缓冲层、可变电阻层和上电极层。电极结构在穿过堆叠结构的开口中，与缓冲层、可变电阻层和上电极层电隔离并且电连接到选择层。加热电极在可变电阻层与选择层之间并且操作为传递热到可变电阻层。

公开(公告)号：CN103579496B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310308784.X

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞真 ,  金佑填 ,  权亨峻 ,  朴淳五 ,  朴钟撤 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。

公开(公告)号：CN104183551A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410217159.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛允 ,  裵珍惠 ,  权亨峻 ,  朴钟撤 ,  李源俊

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层；执行选择性氧化工艺，以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面没有被氧化；以及经由第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。一种半导体器件可以包括在衬底上的下电极；数据存储部件，在下电极的上表面上；上电极，在数据存储部件上；以及覆盖氧化物层，布置在上电极的上表面的至少一部分上。覆盖氧化物层可以包括通过上电极的上表面的氧化而形成的氧化物。

公开(公告)号：CN110277388B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910006986.6

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲 ,  朴钟撤 ,  白桂铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括具有从其突出的多个鳍的衬底。所述多个鳍包括多个有源鳍以及设置在所述多个有源鳍中的有源鳍之间的至少一个非有源鳍。该半导体器件还包括与有源鳍的至少一部分交叉的至少一个栅电极。该半导体器件还包括与所述至少一个栅电极相邻地设置在有源鳍上并且通过所述至少一个非有源鳍彼此分开的多个源极/漏极区。

公开(公告)号：CN110189987B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910119654.9

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴钟撤 ,  金俊胜 ,  朴胜周 ,  朴荣周 ,  李学善

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成线图案和连接图案，该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分；以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。