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公开(公告)号：CN117497515A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310679995.8
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供半导体器件。一种半导体器件包括：下导电图案，设置在基底上；上导电图案，设置在下导电图案上；以及第一插塞图案，设置在下导电图案与上导电图案之间，并且连接到下导电图案和上导电图案。第一插塞图案包括限定第一插塞凹槽的第一阻挡图案和填充第一插塞凹槽的第一插塞金属图案，并且第一插塞金属图案包括第一钼图案和设置在第一钼图案上的第一钨图案。
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公开(公告)号：CN107204310B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201710166680.8
申请日：2017-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中，隔离图案可以形成在衬底上以限定多个有源图案。有源图案可以从隔离图案凸出。初始多晶硅层可以形成在有源图案上以填充有源图案中的相邻有源图案之间的间隙。无导电性的离子可以被注入到初始多晶硅层中以形成无空隙的多晶硅层。有源图案在离子的注入期间维持它们的结晶状态。多晶硅层可以被图案化以在有源图案上形成虚设栅结构。源极/漏极区可以形成在有源图案的与虚设栅结构的侧面相邻的上部分处。
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公开(公告)号：CN107039436B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201710017588.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。
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公开(公告)号：CN106847812B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610884035.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。
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公开(公告)号：CN106206576B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201610366218.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017163B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610890553.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括：形成在基板上突出的鳍型图案；形成交叉鳍型图案的栅电极；通过利用干蚀刻在第一鳍型图案内形成邻近于栅电极的第一凹陷；通过用包括沉积工艺和蚀刻工艺的表面处理工艺处理第一凹陷的表面而形成第二凹陷；以及在第二凹陷中形成外延图案。
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公开(公告)号：CN107068680B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710063574.7
申请日：2017-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。
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公开(公告)号：CN107527910B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710462835.2
申请日：2017-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件包括：第一鳍型有源区，在基板的第一区域中，第一鳍型有源区具有第一凹陷，该第一凹陷填充有第一源极/漏极区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个下部侧壁；第二鳍型有源区，在基板的第二区域中，第二鳍型有源区具有第二凹陷，该第二凹陷填充有第二源极/漏极区；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个下部侧壁；以及鳍绝缘间隔物，在第一器件隔离层上，鳍绝缘间隔物覆盖第一源极/漏极区下面的第一鳍型有源区的侧壁。
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公开(公告)号：CN107068678A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710061181.2
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/82345 , H01L21/823456 , H01L27/088 , H01L27/1104 , H01L28/00 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7854
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括具有不同阈值电压的多个晶体管。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的基板；以及分别形成在第一区域和第二区域中的第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管包括在基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层上以与第一栅绝缘层接触的第一下导电层、在第一下导电层上的第一蚀刻停止层以及在第一蚀刻停止层上的第一上栅电极，以及第二晶体管包括在基板上的第二栅绝缘层、在第二栅绝缘层上以与第二栅绝缘层接触的第二下导电层、在第二下导电层上的第二蚀刻停止层以及在第二蚀刻停止层上的第二上栅电极，其中第一下导电层的厚度小于第二下导电层的厚度。
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公开(公告)号：CN107039432A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610916290.3
申请日：2016-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/28114 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/42376 , H01L29/7854 , H01L27/0922
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。
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