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公开(公告)号：CN113314665A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110225664.8
申请日：2021-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底中间隔开的第一杂质区和第二杂质区；器件隔离图案，其位于第一杂质区与第二杂质区之间；位线接触件，其位于第一杂质区上；存储节点接触件，其位于第二杂质区上；以及介电图案，其位于位线接触件与存储节点接触件之间。器件隔离图案的侧壁的上部具有第一倾角，器件隔离图案的侧壁的下部具有与第一倾角不同的第二倾角。
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公开(公告)号：CN118804590A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410194199.X
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上；位线结构，所述位线结构位于所述有源图案的中央部分上；第一间隔物结构和第二间隔物结构，所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构分别设置在所述位线结构的第一侧壁和第二侧壁上，所述位线结构的所述第一侧壁和所述第二侧壁在第一方向上面向彼此；下接触插塞，所述下接触插塞位于所述有源图案的相对端部中的每一者上；以及上接触插塞，所述上接触插塞位于所述下接触插塞上。所述上接触插塞可以包括：导电图案；以及导电间隔物，所述导电间隔物覆盖所述导电图案的下表面，其中，所述导电间隔物接触所述第一间隔物结构的外侧壁，并且不接触所述第二间隔物结构的外侧壁。
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公开(公告)号：CN117295328A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310300364.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：单元有源图案，包括彼此间隔开的第一部分和第二部分；在单元有源图案的第一部分和第二部分之间的栅极结构；在单元有源图案的第一部分上的位线接触；在单元有源图案的第二部分上的连接图案；以及与位线接触和连接图案接触的单元分离图案，其中单元分离图案包括与连接图案接触的第一侧壁和与位线接触接触的第二侧壁，单元分离图案的第二侧壁的上部与位线接触接触，并且单元分离图案的第二侧壁的下部与位线接触间隔开。
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公开(公告)号：CN116096078A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211290621.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/764 , H01L21/763
Abstract: 一种半导体器件，包括：导电接触插塞，置在衬底上；位线结构，设置在导电接触插塞上；第一间隔物和第二间隔物；以及封盖图案，设置在第一间隔物和第二间隔物上。导电接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有比第一宽度窄的第二宽度的上部。位线结构包括在竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物在水平方向上堆叠在导电接触插塞的下部的侧壁上。封盖图案覆盖导电接触插塞的上部的侧壁。第一间隔物直接接触导电接触插塞的下部的侧壁，并且包括空气。
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公开(公告)号：CN117135909A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310175147.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，包括：有源图案，在彼此相交的第一方向和第二方向上彼此间隔开，每个有源图案具有中心部分、第一端部和第二端部；位线接触部，设置在中心部分上并且在第一方向和第二方向上彼此间隔开；分离绝缘图案，每个分离绝缘图案设置于在第一方向和第二方向上彼此相邻的位线接触部之间；中间绝缘图案，每个中间绝缘图案设置于在第一方向上彼此相邻的位线接触部与分离绝缘图案之间；以及连接图案，每个连接图案设置于在第二方向上彼此相邻的位线接触部与分离绝缘图案之间。
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公开(公告)号：CN116471836A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310061377.7
申请日：2023-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括具有有源区和非有源区的衬底。额外焊盘层设置在衬底的有源区上。第一接触层设置在从额外焊盘层的表面起限定在衬底的内部的接触孔中。第一硅化物层设置在第一接触层的两个侧壁上。掩埋绝缘层在第一接触层和第一硅化物层的侧面处掩埋在接触孔中。第二硅化物层设置在额外焊盘层的上表面和侧壁上。第二接触层在掩埋绝缘层和第二硅化物层上，并且与第二硅化物层直接接触。
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公开(公告)号：CN116264768A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211279939.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括包含有源区域的基底。字线可以位于有源区域上并且可以在第一方向上延伸。位线结构可以位于字线上，并且每个位线结构可以包括连接到有源区域的第一杂质区的接触部以及位于所述接触部上并在第二方向上延伸的线部。接触插塞可以位于位线结构之间并且可以连接到有源区域的相应的第二杂质区。连接图案可以将接触插塞连接到第二杂质区。每个连接图案可以包括面对所述接触部的第一凹入表面以及与第一凹入表面相对的第二凸出表面。
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公开(公告)号：CN116056450A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211290766.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括单元阵列区和外围电路区，并且包括限定在单元阵列区中的多个第一有源区和限定在外围电路区中的至少一个第二有源区；多条位线，布置在衬底的单元阵列区中，并且在第一方向上延伸；多个单元焊盘结构，布置在位线之间，并且各自包括顺序布置在第一有源区的顶表面上的第一导电层、第一中间层和第一金属层；以及外围电路栅电极，设置在衬底的外围电路区上，并且包括顺序布置在至少一个第二有源区上的第二导电层、第二中间层及第二金属层。
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