公开(公告)号：CN117177563A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310642728.3

申请日：2023-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔民洙 ,  金昭煐

IPC: H10B12/00 ,  H10B51/40

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：衬底；有源区，其包括第一杂质区和与第一杂质区间隔开的第二杂质区；隔离区，其限定有源区；栅极结构，其与有源区相交并在平行于衬底的第一方向上延伸；第一焊盘图案，其设置在第一杂质区上；第二焊盘图案，其设置在第二杂质区上；位线，其设置在第一焊盘图案上并在第二方向上延伸，其中，第二方向垂直于第一方向并平行于衬底；以及接触结构，其位于第二焊盘图案上，其中，第二焊盘图案具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面和第二侧表面都沿着平行于衬底的平面弯曲。

公开(公告)号：CN113314665A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110225664.8

申请日：2021-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  朴哲权 ,  金昭煐 ,  金恩娥 ,  金孝燮 ,  朴素贤 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L43/02 ,  H01L45/00 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底中间隔开的第一杂质区和第二杂质区；器件隔离图案，其位于第一杂质区与第二杂质区之间；位线接触件，其位于第一杂质区上；存储节点接触件，其位于第二杂质区上；以及介电图案，其位于位线接触件与存储节点接触件之间。器件隔离图案的侧壁的上部具有第一倾角，器件隔离图案的侧壁的下部具有与第一倾角不同的第二倾角。