公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1638125A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082270.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  李明宰 ,  朴永洙

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。

公开(公告)号：CN1638125B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200410082270.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  李明宰 ,  朴永洙

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。

公开(公告)号：CN100530691C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1763987A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510098148.4

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙 ,  朴星昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/70

CPC classification number: C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。

公开(公告)号：CN1738062A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510092117.8

申请日：2005-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  徐范锡

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。

公开(公告)号：CN1630085A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410102185.3

申请日：2004-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星昊 ,  李正贤

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/75

Abstract: 提供一种半导体器件的电容器和制造该半导体器件电容器的方法。该电容器含下电极层、介电层和上电极层，介电层由钽氧化物和周期表第5族元素的氧化物如铌氧化物或钒氧化物形成。因此，能够通过在低的温度下热处理介电层而使介电层具有电特性，并保证整个电容的结构稳定性。