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公开(公告)号：CN105914206B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610098348.8
申请日：2016-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/8232 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/0843 , H01L29/1033 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。
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公开(公告)号：CN105826384B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610028951.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/7851 , H01L29/7853 , H01L29/7854
Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
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公开(公告)号：CN105990446A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610151295.1
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L29/0657 , H01L29/42356 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/7856
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。
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公开(公告)号：CN109390406B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810718141.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826385B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201610032156.7
申请日：2016-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。
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公开(公告)号：CN105679673B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201510736185.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。
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公开(公告)号：CN107359200A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710605943.0
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
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公开(公告)号：CN105914206A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610098348.8
申请日：2016-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/8232 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/0843 , H01L29/1033 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。
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公开(公告)号：CN105826384A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610028951.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/7851 , H01L29/7853 , H01L29/7854 , H01L29/785 , H01L29/7855
Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
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