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公开(公告)号：CN118412371A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311512834.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种场效应晶体管包括：水平沟道层；层间绝缘层，在水平沟道层上；栅电极层，在层间绝缘层上；第一竖直沟道结构，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的一个；以及第二竖直沟道结构，在水平方向上与第一竖直沟道结构分开，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的另一个。
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公开(公告)号：CN110610944B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910289024.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直存储器装置及其制造方法，所述垂直存储器装置包括：基底，具有沟槽结构；栅电极，位于基底上，栅电极在与基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔开；沟道，所述沟道包括竖直部分和水平部分，竖直部分沿第一方向延伸穿过栅电极，水平部分在沟槽结构中在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，水平部分连接竖直部分；外延层，位于基底的第一部分上并且连接到沟道的水平部分，基底的第一部分沿第二方向与栅电极的端部相邻。
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公开(公告)号：CN110911416B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910573210.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/50 , H10B43/27 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错并在平行于基板的主表面的水平方向上延伸，并且在垂直方向上彼此重叠。沟道孔在垂直方向上穿过字线结构和绝缘结构。电荷捕获图案位于沟道孔中，并在垂直方向上彼此间隔开而使局部绝缘区域在其间。
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公开(公告)号：CN106803508B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201611035683.X
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11597 , H01L27/11514 , H01L23/488
Abstract: 提供了三维(3D)半导体装置。3D半导体装置可以包括：基底，包括芯片区域和划线区域；单元阵列结构，包括三维地布置在基底的芯片区域上的存储器单元；堆叠结构，设置在基底的划线区域上，包括竖直地并交替地堆叠的第一层和第二层；多个竖直结构，沿与基底的顶表面垂直的竖直方向延伸并穿透堆叠结构。
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公开(公告)号：CN111613622A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911241565.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜，以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所述第二电荷存储膜的表面可以在其中间部分包括凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571222A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910454955.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 提供了一种三维半导体器件，所述三维半导体器件包括：下部结构；位于所述下部结构上的堆叠结构，所述堆叠结构包括：下组，所述下组包括在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，以及上组，所述上组包括在所述垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，所述下组和所述上组在所述垂直方向上堆叠；以及垂直结构，所述垂直结构穿过所述堆叠结构。所述垂直结构可以包括垂直芯图案、位于所述垂直芯图案中的垂直缓冲部分以及垂直半导体层。所述垂直结构可以包括穿过所述下组的下垂直部分和穿过所述上组的上垂直部分，所述下垂直部分的上部区域的宽度大于所述上垂直部分的下部区域的宽度。所述垂直缓冲部分位于所述下垂直部分中并位于所述上垂直部分下方。
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公开(公告)号：CN102915955A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210278183.4
申请日：2012-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在阶梯式衬底上设置的多个垂直沟道；栅极堆叠，其设置在所述阶梯式衬底上，包括沿着所述垂直沟道的延伸方向垂直分离并分别具有接触区的多个导电层；以及与所述多个导电层的多个接触区连接的垂直的多个接触插头，其中，所述多个导电层包括阶梯式图案的多个第一导电层和层叠在所述多个第一导电层上的L形状图案的多个第二导电层，所述第一导电层的接触区与所述第一导电层的其他部分相比位于抬高的水平处。
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公开(公告)号：CN118695605A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410294932.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括外围电路结构和外围电路结构上的单元阵列结构，其中，单元阵列结构包括基底绝缘层、基底绝缘层上的公共源极线层、公共源极线层上的缓冲绝缘层、缓冲绝缘层上的单元堆叠、延伸到单元堆叠中的多个栅接触插塞以及在多个栅接触插塞和基底绝缘层之间的多个保护结构，其中，单元堆叠包括多个栅电极和多个绝缘层，其中，多个栅电极具有阶梯形状。
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公开(公告)号：CN118540947A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410192444.3
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了集成电路装置和电子系统。集成电路装置通过绕过公共源极线来在接触结构和布线之间形成欧姆结使得公共源极线驱动器连接至的公共源极线通过布线电连接到接触结构，而具有改进的电可靠性。
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