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公开(公告)号：CN110610944B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910289024.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直存储器装置及其制造方法，所述垂直存储器装置包括：基底，具有沟槽结构；栅电极，位于基底上，栅电极在与基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔开；沟道，所述沟道包括竖直部分和水平部分，竖直部分沿第一方向延伸穿过栅电极，水平部分在沟槽结构中在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，水平部分连接竖直部分；外延层，位于基底的第一部分上并且连接到沟道的水平部分，基底的第一部分沿第二方向与栅电极的端部相邻。
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公开(公告)号：CN111613622A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911241565.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜，以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所述第二电荷存储膜的表面可以在其中间部分包括凹部。
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公开(公告)号：CN115705908A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210512988.4
申请日：2022-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供的是一种存储设置数据的存储器件及其操作方法。所述存储器件可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个单元块，每一个所述单元块包括多个页面；以及控制逻辑，所述控制逻辑控制对所述单元阵列的编程和读取操作，其中所述单元阵列的至少一个页面存储包括与所述存储器件的设置操作相关的信息的信息数据读取(IDR)数据，所述单元阵列的至少一个其他页面存储包括所述IDR数据的反转位值的副本IDR数据，并且所述控制逻辑在发生所述IDR数据的读取失败时执行恢复操作，所述恢复操作通过读取所述副本IDR数据来修复从所述单元阵列读取的IDR数据中的错误。
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公开(公告)号：CN110610944A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910289024.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种垂直存储器装置及其制造方法，所述垂直存储器装置包括：基底，具有沟槽结构；栅电极，位于基底上，栅电极在与基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔开；沟道，所述沟道包括竖直部分和水平部分，竖直部分沿第一方向延伸穿过栅电极，水平部分在沟槽结构中在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，水平部分连接竖直部分；外延层，位于基底的第一部分上并且连接到沟道的水平部分，基底的第一部分沿第二方向与栅电极的端部相邻。
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