公开(公告)号：CN116631967A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310148424.1

申请日：2023-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商熏 ,  吴暻锡 ,  李承宪 ,  林俊赫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。

公开(公告)号：CN109976097A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811612414.4

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张相信 ,  白宗玟 ,  徐训硕 ,  李义福 ,  姜成进 ,  V.阮 ,  郑德泳 ,  安商熏 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/004

Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN119835935A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410855046.5

申请日：2024-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕珍 ,  柳民泰 ,  宋映槿 ,  安商熏 ,  赵珉熙 ,  河大元

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的层间绝缘层；在层间绝缘层中在第一方向上延伸的位线；半导体图案，在位线上，并且包括在第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及将第一垂直部分和第二垂直部分彼此连接的水平部分；第一字线和第二字线，在水平部分上并分别与第一垂直部分和第二垂直部分相邻；以及栅极绝缘图案，插设在第一垂直部分和第一字线之间以及在第二垂直部分和第二字线之间。层间绝缘层的上表面和位线的上表面彼此共面。

公开(公告)号：CN117747590A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311209582.X

申请日：2023-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容填 ,  安商熏

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092

Abstract: 一种集成电路器件包括：多个布线结构，在基板上并且沿平行于基板的上表面的第一方向延伸，每个布线结构包括在基板上并沿垂直于基板的上表面的方向延伸的布线层、围绕布线层的侧壁并包括第一绝缘材料的绝缘图案、以及在布线层的上表面上并包括导电材料的覆盖层；在布线结构上的通路层，该通路层电连接到一个布线结构；以及覆盖该多个布线结构中的每个布线结构的绝缘图案的侧壁的层间绝缘层，该层间绝缘层具有比每个布线层的上表面和每个绝缘图案的上表面高的上表面。

公开(公告)号：CN108573916B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201810124015.7

申请日：2018-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  金永培 ,  安商熏 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。

公开(公告)号：CN114121782A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110582170.5

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  安商熏 ,  李禹镇 ,  卞卿溵 ,  申定候 ,  申铉振 ,  李润姓

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供形成互连结构的方法。所述方法包括：制备包括第一金属层和第一绝缘层的基板，在所述第一金属层上选择性地形成具有sp2键合结构的碳层，在所述第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层，形成第三绝缘层以覆盖所述第二绝缘层，和形成电连接至所述第一金属层的第二金属层。

公开(公告)号：CN108573916A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810124015.7

申请日：2018-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  金永培 ,  安商熏 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。