公开(公告)号：CN109727958B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201811060832.7

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政昊 ,  姜明杉 ,  高永宽 ,  金镇洙 ,  徐祥熏 ,  李桢日

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括：绝缘层、布线层及连接过孔层，并且框架具有凹入部和设置在凹入部的底表面上的止挡层；半导体芯片，设置在凹入部中并且具有连接焊盘、设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面背对并且设置在止挡层上的无效表面；包封剂，覆盖半导体芯片的至少部分并且填充凹入部的至少部分；及连接构件，设置在框架和半导体芯片的有效表面上并且包括重新分布层，重新分布层使框架的布线层和半导体芯片的连接焊盘彼此电连接。半导体芯片的有效表面和包封剂的上表面之间具有台阶部。

公开(公告)号：CN114649273A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111454605.4

申请日：2021-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永灿 ,  金廷锡 ,  文炅墩

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装件包括其中设置有连接布线的支撑基板。至少一个电容器设置在支撑基板上。电容器具有从支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖支撑基板的上表面。再分布布线层具有分别与连接布线以及第一电极和第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在再分布布线层上。半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器，芯片焊盘电连接到再分布布线，外连接器设置在支撑基板的下表面上并电连接到连接布线。

公开(公告)号：CN113921495A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110782806.0

申请日：2021-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永燦 ,  金廷锡 ,  赵俸紸

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一重分布结构，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一重分布层；半导体芯片，其设置在第一重分布结构的第一表面上，并且包括电连接到第一重分布层并嵌入在第一绝缘层中的连接焊盘；垂直连接结构，其设置在第一表面上并且电连接到第一重分布层；密封剂，其包封半导体芯片和垂直连接结构中的每一个的至少一部分；第二重分布结构，其设置在密封剂上并且包括连接到垂直连接结构的第二重分布层电；以及连接凸块，其设置在第二表面上并且电连接到第一重分布层。

公开(公告)号：CN111128906A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910949683.8

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李用军 ,  姜明杉 ,  高永宽 ,  高永燦 ,  李彰培

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01Q1/38

Abstract: 本公开提供了半导体封装件和包括该半导体封装件的天线模块。所述半导体封装件包括：芯结构，具有第一通孔并包括具有开口的框架、设置在开口中的无源组件、覆盖框架和无源组件的第一包封剂、设置在第一通孔的内表面上的第一金属层以及设置在开口的内表面上的第二金属层；第一半导体芯片，设置在第一通孔中并具有第一连接垫；第二包封剂，覆盖芯结构和第一半导体芯片；连接结构，设置在芯结构和第一半导体芯片上并包括重新分布层；以及金属图案层，设置在第二包封剂上。第一金属层和第二金属层通过具有彼此不同的高度的第一金属过孔和第二金属过孔连接到金属图案层。

公开(公告)号：CN110277381A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811636063.0

申请日：2018-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文善希 ,  姜明杉 ,  高永宽 ,  李彰培 ,  金镇洙

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。

公开(公告)号：CN111146177B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910843672.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永宽 ,  朴庸镇 ,  文善希

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H10B80/00 ,  H05K1/18

Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；框架，设置在所述连接结构上并且具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中，位于所述连接结构上并且具有被设置为面对所述连接结构的连接焊盘；以及无源组件，设置在所述框架上。

公开(公告)号：CN110277381B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201811636063.0

申请日：2018-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文善希 ,  姜明杉 ,  高永宽 ,  李彰培 ,  金镇洙

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。

公开(公告)号：CN110556364A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201811398329.2

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  金镇洙 ,  朴庸镇 ,  高永宽 ,  薛镛津

IPC: H01L23/552 ,  H01L25/16

Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：支撑构件，包括树脂主体和至少一个无源组件，树脂主体具有彼此背对的第一表面和第二表面并且具有腔，所述至少一个无源组件嵌入树脂主体中并且具有从第一表面暴露的连接端子；第一连接构件，设置在树脂主体的第一表面上，并且具有设置在树脂主体的第一表面上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上并连接到连接端子的第一重新分布层；第二连接构件，设置在第一连接构件上并覆盖腔，并且具有设置在第一连接构件上并覆盖腔的表面的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上并连接到第一重新分布层的第二重新分布层；以及半导体芯片，在腔中设置在第二连接构件上。