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公开(公告)号：CN119894006A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411449038.7
申请日：2024-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够实现多级存储器的基于硫属化物的存储器装置和包括该基于硫属化物的存储器装置的电子设备。所述存储器装置包括：第一电极和第二电极，其被布置成彼此间隔开；以及存储器层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括具有彼此不同的阈值电压的多个存储器材料层。多个存储器材料层中的每一个包括基于硫属化物的材料，具有双向阈值切换(OTS)特性，并且被配置为具有根据所施加的电压的极性和强度而变化的阈值电压。
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公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
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公开(公告)号：CN110349992B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
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公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
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公开(公告)号：CN1577912A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062148.4
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0537
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高Ion/Ioff值，并且，还能通过湿法工艺制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1511863A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n－型半导体性能的单元与一种表示p－型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN116891221A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310376723.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
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公开(公告)号：CN102786825B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210157507.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/44 , C08F283/04 , H01L51/30 , H01L51/46 , C09D4/06
CPC classification number: C09D179/08 , C08L79/08 , H01L51/0036 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/107 , Y02E10/549
Abstract: 提供有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件。所述有机钝化层组合物包括：包括由以下化学式1和2表示的结构单元的低聚物或聚合物，和交联剂。在化学式1和2中，各取代基与具体的说明书中定义的相同。[化学式1]；[化学式2]。
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公开(公告)号：CN100514696C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101192651A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710163090.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0021 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法。根据该方法，有机薄膜晶体管的半导体层和源/漏电极之间界面的稳定性可得到保证。因此，通过该方法制成的有机薄膜晶体管可具有改进的性能特性，如，最小化的或下降的接触电阻和增加的电荷载流子迁移率。
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