公开(公告)号：CN104081503A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380005535.1

申请日：2013-01-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司 ,  三尾茂

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/04 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08G73/0206 ,  C08G73/0213 ,  C08G73/0226 ,  C08G2190/00 ,  C09J179/02 ,  C09K3/1006 ,  C09K2003/1087 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。

公开(公告)号：CN101983223A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200980112061.4

申请日：2009-03-30

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08L83/04 ,  C08J9/28 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C08K3/08 ,  C09D7/61 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L2924/0002 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种组合物，含有烷氧基硅烷化合物的水解产物、下述通式(1)表示的硅氧烷化合物的水解产物、表面活性剂和电负性为2.5以下的元素。通式(1)中，RA及RB分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或-CdH2d-1基。其中，RA及RB不同时为氢原子。RC及RD表示将硅原子和氧原子相互连接形成环状硅氧烷结构的单键，或者分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或者-CdH2d-1基。a表示1～6的整数，b表示0～4的整数，c表示0～10的整数，d表示2～4的整数，n表示3以上的整数。

公开(公告)号：CN101146874A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009348.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 株式会社爱发科 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  三井化学株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  金山敏彦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101120436A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN108352320B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201680066760.X

申请日：2016-11-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  田中博文 ,  井上浩二

IPC: H01L21/312 ,  C08K5/092 ,  C08L101/02

Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

公开(公告)号：CN113677722A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080025442.5

申请日：2020-03-27

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 佐藤靖 ,  畦崎崇 ,  田中博文 ,  伊藤健

IPC: C08F290/12 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  G03F1/62 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明的课题在于提供一种溶液稳定性高的粘着剂溶液，且通过使用该粘着剂溶液而提供一种残胶少、释气的产生得到抑制的防护膜组件。本发明是一种防护膜组件，所述防护膜组件具有防护膜框架、铺设于防护膜框架的一端面的防护膜、以及设置于防护膜框架的另一端面的粘着剂层，所述防护膜组件中，粘着剂层包含(甲基)丙烯酸系粘着剂，所述(甲基)丙烯酸系粘着剂为包含聚合物(A)及自由基聚合引发剂(B)的树脂组合物的固化物，聚合物(A)具有源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元、以及包含含碳‑碳多重键的基团的侧链。

公开(公告)号：CN112805813A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980066019.7

申请日：2019-11-19

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 和知浩子 ,  田中博文 ,  茅场靖刚 ,  藤井谦一

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体元件中间体的制造方法，其包括下述工序：准备表面具有凹部的基板的准备工序；将上述基板的温度设为250℃以上，通过原子层沉积法，使用包含下述通式(1)所示的化合物的氧化锡前体，向上述凹部填充氧化锡的填充工序。通式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。

公开(公告)号：CN108352320A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066760.X

申请日：2016-11-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  田中博文 ,  井上浩二

IPC: H01L21/312 ,  C08K5/092 ,  C08L101/02

CPC classification number: C08K5/092 ,  C08L101/02

Abstract: 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si-O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

公开(公告)号：CN104412376B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201380036029.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C09D179/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02093 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。

公开(公告)号：CN104081503B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201380005535.1

申请日：2013-01-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司 ,  三尾茂

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/04 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08G73/0206 ,  C08G73/0213 ,  C08G73/0226 ,  C08G2190/00 ,  C09J179/02 ,  C09K3/1006 ,  C09K2003/1087 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。