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公开(公告)号：CN109923246A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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公开(公告)号：CN109906496A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067863.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供用于通过将端板及射频天线定位在所选轴向位置处来动态地修改离子源室中的等离子体体积的方式。在一种方式中，一种离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN109690727A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055593.3
申请日：2017-08-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛兰·FR·吉尔克里斯特 , 梁树荣
IPC: H01J37/305 , H01J37/304
Abstract: 本发明公开一种能够对带电离子的提取角度及反应性中性粒子的提取角度进行独立控制的工件加工设备。所述设备包括具有提取开孔的提取板，带电离子通过所述提取开孔。可使用等离子体鞘调制及电场来确定带电离子的提取角度。提取板还包括与提取开孔分开的一个或多个中性物质通道，反应性中性粒子是以所选择提取角度通过所述一个或多个中性物质通道。所述中性物质通道的几何构造决定反应性中性粒子的提取角度。中性物质通道还可包括用于减少通过中性物质通道的带电离子的数目的抑制器。所述设备可用于各种应用，例如定向反应性离子蚀刻。
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公开(公告)号：CN105684139B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201480050762.0
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
Abstract: 本发明揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。通过阻隔层阻止金属粒子从介电顶层迁移到工作件，从而维持工作件的完整性，提高工作件的良率。
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公开(公告)号：CN109478487A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045501.3
申请日：2017-07-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·鲁波利 , 雪莉·A·德基 , 丹尼尔·梅吉立克帝 , 维克多·J·席瑞奥特 , 可劳斯·贝克
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H05H7/06
Abstract: 一种操纵离子束的电极。所述电极可包括：嵌件，具有离子束开孔以经由所述离子束开孔传导所述离子束，所述嵌件包含第一导电材料；框架，设置在所述嵌件周围且包含第二导电材料；以及外侧部分，所述外侧部分围绕所述框架设置且包含第三导电材料，其中所述嵌件能够可逆地从所述框架拆卸，且其中所述框架能够可逆地附装到所述外侧部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417005A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038355.1
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有若干新颖特征以防止蒸汽冷凝及喷嘴堵塞的汽化器。所述汽化器被设计成使得当蒸汽从坩埚流到电弧室时，温度沿着蒸汽所行进的路径而升高。所述汽化器使用将坩埚安装在外壳体内的嵌套架构。离开所述坩埚的蒸汽穿过开孔逸出，并沿着坩埚与外壳体之间的空间行进至喷嘴，蒸汽在所述喷嘴处流到电弧室。在某些实施例中，坩埚中的开孔设置在使坩埚中的液体无法到达开孔的位置处。
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公开(公告)号：CN108431925A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074876.8
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 克里斯多福·A·罗兰德
IPC: H01L21/02 , H01L21/3215 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/225 , H01L21/223 , H01L21/2254 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L21/67213 , H01L21/823431 , H01L29/36 , H01L29/66795 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种对衬底进行掺杂的方法。所述方法可包括在300℃或高于300℃的植入温度下经由所述衬底的表面将一定剂量的氦物质植入至所述衬底中。所述方法可进一步包括在所述衬底的所述表面上沉积含有掺杂剂的掺杂层，以及在退火温度下对所述衬底进行退火，所述退火温度高于所述植入温度。
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公开(公告)号：CN103918043B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201280054696.5
申请日：2012-10-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛列格里·西特佛 , 法兰克·辛克莱 , D·杰弗里·里斯查尔 , 南帝斯克马·德塞
IPC: H01F6/06
CPC classification number: H01F6/065 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明揭示一种用以减少于交流电环境中热负荷转移的电流导线、超导系统及制作此电流导线的方法。电流导线可能包括导电材料，包括配置，其中当交流电应用到电流导线时，配置用以在电流导线中减少热负荷转移，其中温度梯度沿着电流导线的长度展现。
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公开(公告)号：CN108140524A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060705.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有经提高的寿命的间接加热式阴极(IHC)离子源。所述间接加热式阴极离子源包括具有阴极的腔室以及位于所述离子源的相对的端上的反射极。偏压电极安置在所述离子源的一或多个侧上。相对于所述腔室而被施加至所述阴极、所述反射极及所述电极中的至少一者的偏压随时间的推移而改变。在某些实施例中，被施加至所述电极的电压可自初始正电压开始。随着时间的推移，这种电压可降低，但仍维持目标离子束电流。有利地，使用这种技术，所述阴极的寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN105308735B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480035023.4
申请日：2014-04-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种低放射率静电卡盘和具有其的离子植入系统，静电卡盘包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。
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