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公开(公告)号：CN102576736B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046492.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。
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公开(公告)号：CN101738781B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN200910220866.2
申请日：2009-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G06F3/042 , G02F1/13338 , G02F1/133514 , G02F2001/13312 , G02F2001/136222 , G06F3/0412 , H01L27/14678 , H01L27/3213 , H01L27/322 , H01L27/3234 , H01L27/326 , H01L31/02162 , H01L2227/323
Abstract: 本发明的目的在于提高图像的读取精度。本发明提供一种图像输入输出装置，该图像输入输出装置具有进行图像显示及图像读取的像素，像素具有光检测元件、着色层以及显示元件，通过在光检测元件上设置着色层，在着色层上设置显示元件，来缩短光检测元件和着色层之间的间隔，从而使得光容易经过所希望的着色层入射到所希望的光检测元件，因此即使是彩色的被读取物也可以准确地读取。
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公开(公告)号：CN102668377B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080057657.1
申请日：2010-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/356 , H01L27/10 , H01L29/786 , H03K3/037
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C14/0063 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H03K3/356008 , H03K3/35606
Abstract: 提供一种新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体装置。锁存电路具有循环结构，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，并且第二元件的输出通过第二晶体管电连接至所述第一元件的输入。使用氧化物半导体作为沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件，并且设置有电连接至晶体管的源电极或漏电极的电容器，由此锁存电路的数据能保存，并且因此能形成非易失性锁存电路。
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公开(公告)号：CN102598278B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080045729.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN102612749B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080051357.2
申请日：2010-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10 , G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C5/06 , G11C7/12 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/565 , G11C16/0408 , G11C16/10 , G11C2211/4016 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/263 , H01L29/7869
Abstract: 所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714180B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080057883.X
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H03K3/037 , G11C11/24 , G11C14/0054 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/045 , H01L29/7869 , H03K19/173
Abstract: 为了提供新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体器件，非易失性锁存电路包括：锁存部分，具有循环结构，其中第一元件的输出电连接到第二元件的输入，并且第二元件的输出电连接到第一元件的输入；以及数据保存部分，配置成保存锁存部分的数据。在数据保存部分中，将使用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件。另外，包括电连接到晶体管的源电极或漏电极的电容器。
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公开(公告)号：CN104064473A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410329040.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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公开(公告)号：CN103855170A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310625431.2
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素部；设置在像素部的外侧的驱动电路部；以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路，其中，像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管，晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层，并且，保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN101017643B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200710085561.6
申请日：2001-10-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: G09G3/30 , G09G3/32 , G09G3/20 , H05B33/08 , H05B33/14 , H05B37/02 , H01L51/50 , H01L27/32 , G09F9/33
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2022 , G09G3/325 , G09G3/3266 , G09G3/3283 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0266 , G09G2320/041
Abstract: 发光器件及其驱动方法提供一种驱动显示器件的方法，能够获得一种与温度变化无关的恒定等级的亮度。通过用电流而不是电压控制EL元件的亮度来防止EL元件由于温度变化而改变。具体地说，用来控制流入EL元件的电流量的一个TFT工作在饱和范围。这样，TFT的电流值IDS就不会随VDS而变化，而是仅仅由VGS来决定。这样就能通过将VGS设置在能使电流值IDS恒定的值，从而使流入EL元件的电流量保持恒定。EL元件的亮度大致与流过EL元件的电流量成正比，能够防止EL元件的亮度随温度的改变而变化。
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公开(公告)号：CN1741115B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200510092492.2
申请日：2005-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3216 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3275 , G09G2300/0842 , G09G2310/0262 , G09G2310/061 , G09G2320/0223 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043
Abstract: 显示装置、其驱动方法和电子器件，一种发光元件具有当环境温度改变时亮度也改变的性质。鉴于此，本发明提供了一种显示装置，其抑制了提供给发光元件的电流值由于温度改变而导致变化的影响。特别地，抑制了由于从源极信号线驱动电路产生的热量而引起像素部分中的温度梯度所导致的亮度差异。在显示装置中，该显示装置包括提供在行方向上的栅极信号线、提供在列方向上的源极信号线、和对应于栅极信号线和源极信号线在像素部分中排列成矩阵的发光元件，将一列监视元件提供在像素部分的旁边，将恒定电流提供给每行的监视元件，并将在用于每行像素的监视元件处产生的电压施加到相应行的发光元件上。
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