公开(公告)号：CN205104513U

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201520783121.8

申请日：2015-10-10

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  姜伟 ,  卓祥景 ,  方天足 ,  陈亮

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 本实用新型公开一种大尺寸发光二极管，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区上设置第一电极，在n区上设置第二电极；其特征在于：p区设置复合的多层欧姆接触层结构，ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上，第一电极设置在ITO导电层上。本实用新型可以提高ITO导电层的电流扩展效果，减少扩展电极的挡光面积，提高发光二极管的发光效率，降低制造成本。

公开(公告)号：CN204927323U

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201520698621.1

申请日：2015-09-09

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  卓祥景 ,  姜伟 ,  方天足

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: 本实用新型公开一种具有微光学传输系统的发光二极管，包括一外延衬底，所述外延衬底上方设置一缓冲层，所述缓冲层上方设置一第一型导电层，所述第一型导电层上方设置一有源层，所述有源层上方设置一第二型导电层，所述第二型导电层上方设置一图形制作层，所述图形制作层内下端部设置有电极布拉格反射层，所述电极布拉格反射层具有若干个圆柱状孔洞，且该若干个圆柱状孔洞内充满所述图形制作层材料，所述图形制作层上方设置若干圆弧台型立体反射器，所述圆弧台型立体反射器上方设置一焊台电极。本实用新型能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。

公开(公告)号：CN204243024U

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201420536931.9

申请日：2014-09-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  张永 ,  陈凯轩 ,  姜伟 ,  蔡建九 ,  吴洪清 ,  李俊承 ,  方天足 ,  卓祥景 ,  张银桥 ,  黄尊祥 ,  王向武

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/22 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0725

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型公开衬底可剥离外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本实用新型还公开一种具有衬底可剥离太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离发光二极管外延结构。本实用新型可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。

公开(公告)号：CN204189827U

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201420516772.6

申请日：2014-09-10

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  杨凯 ,  蔡建九 ,  白继锋 ,  卓祥景 ,  姜伟 ,  刘碧霞

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本实用新型使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。

公开(公告)号：CN204144278U

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201420537161.X

申请日：2014-09-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 张永 ,  林志伟 ,  姜伟 ,  陈凯轩 ,  蔡建九 ,  吴洪清 ,  李俊承 ,  方天足 ,  卓祥景 ,  张银桥 ,  黄尊祥 ,  王向武

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本实用新型公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本实用新型转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。

公开(公告)号：CN204102929U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420493641.0

申请日：2014-08-29

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  杨凯 ,  蔡建九 ,  白继锋 ,  卓祥景 ,  姜伟 ,  刘碧霞

IPC: H01L33/38

Abstract: 本实用新型公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，在发光结构一侧设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置粗化层；在粗化层上形成沟槽，在沟槽中形成扩展电极，扩展电极与欧姆接触层接触形成欧姆接触；采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极，焊盘电极与扩展电极连接导通。本实用新型可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。

公开(公告)号：CN204011467U

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201420021293.7

申请日：2014-01-14

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  蔡建九 ,  张永 ,  林志园 ,  尧刚 ,  姜伟

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本实用新型使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。