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公开(公告)号：CN114695050B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011628567.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及陶瓷窗口的温控方法，属于半导体制造技术领域，解决了陶瓷窗口温度会随着工艺前后而变化，会产生工艺的再现性与重复性不良的问题。本发明等离子体刻蚀设备包括陶瓷窗口及用于维持陶瓷窗口温度稳定的加热装置和冷却装置；加热装置包括灯座和紫外线灯，紫外线灯设置有1个以上，且均匀设置在灯座上，灯座设置在陶瓷窗口上方；冷却装置包括多个冷却喷嘴，冷却喷嘴用于喷射冷却气体，多个冷却喷嘴均匀设置在陶瓷窗口的外围。
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公开(公告)号：CN118405654A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410230626.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种热电绝缘的等效悬浮结构及其制备方法，该等效悬浮结构包括：具有背腔结构的基底；在所述基底的一面设置有支撑层，所述支撑层开设有多个贯穿所述支撑层的隔离槽，所述隔离槽内填充有热电绝缘材料，所述隔离槽在预设平面上的正投影均位于所述背腔结构在所述预设平面的正投影内，所述预设平面为所述基底所在的平面。本公开通过在悬浮结构的有效工作区域与基底间的隔离槽中填充低热导率的热电绝缘材料，降低悬桥的应力，提升结构的寿命及稳定性，在确保结构高机械强度的同时，使结构具有低热传导，降低热损耗，提升性能。
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公开(公告)号：CN118400996A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202310927337.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：衬底；绝缘层，绝缘层上开设有多个沿第一方向延伸的凹槽；第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层之间具有间隔区域；半导体层，半导体层覆盖所有沟道凹槽的底部和侧壁，沟道凹槽为位于间隔区域内的凹槽至少一部分槽体；栅极介质层，栅极介质层覆盖沟道凹槽内的半导体层远离沟道凹槽底部和侧壁一侧的表面；栅极层，栅极层完全填充至少一部分沟道凹槽。本公开在不影响半导体器件的有效沟道长度和半导体器件的水平面积的情况下，通过凹槽的设置提升了有效沟道的宽度，实现利用水平沟道和垂直沟道结合的方式提高驱动电流的密度，达到存储器件的读写信息速率的提升。
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公开(公告)号：CN113540027B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010292274.8
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的位线结构包括半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。该位线结构通过将位线从多晶硅‑阻挡金属‑钨结构变更为金属结构，使得位线结构在小于7nm时的局限可以克服。并且去除多晶硅之后，可以进一步堆叠。
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公开(公告)号：CN117580360A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210934853.7
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于在确保半导体器件具有较高良率的情况下，增大电容器的电容量，提升电容器的数据存储性能。所述半导体器件包括：基底、金属互连层、连接结构和电容器。基底具有有源区。金属互连层形成在基底上。连接结构贯穿金属互连层。电容器形成在金属互连层上。电容器所包括的下电极通过连接结构与有源区电连接。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
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公开(公告)号：CN117542897A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311344944.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括了衬底层、源极、漏极、栅极、有源层和栅极隔离层，其中源极和漏极之间形成有沟槽，有源层覆盖在沟槽的内壁，栅极隔离层覆盖在有源层上，栅极设置在沟槽内，连接于栅极隔离层，基于此通过本申请实施例提供的薄膜晶体管有效缩短沟道并形成沟槽状的栅极，窄沟槽三维沟道器件，从而在不增加器件水平面积(foot Print)前提下提高器件开态电流密度，提高导通电流与存储密度。
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公开(公告)号：CN117241575A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311022435.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法。其包括依次堆叠的：半导体衬底、第一隔离层、第一和第二层晶体管；第一层晶体管包括堆叠的第一源极层、第二隔离层、第一漏极层和第三隔离层，以及依次贯穿至第一源极层的第一通孔，第一通孔的内侧壁依次层叠有第一有源层、第一栅介质层和第一栅极层；第二层晶体管包括堆叠的第四隔离层、第二源极层和第五隔离层，以及贯穿至第一栅极层的第二通孔，第二通孔的内侧壁依次层叠有第二有源层、第二栅介质层和第二栅极层；第二通孔被第一通孔包围。本发明的上下两个晶体管垂直重叠，节约了单元面积，提高了集成密度，减少了制造成本。
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公开(公告)号：CN116164844A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310127560.2
申请日：2023-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种多波段紫外红外复合火焰探测器、其控制方法和电子设备，涉及火焰探测器技术领域，包括：信号处理单元，以及分别与信号处理单元连接的一个MEMS热电堆紫外传感器、至少两个MEMS热电堆红外传感器和警报单元；信号处理单元用于接收一个MEMS热电堆紫外传感器和至少两个MEMS热电堆红外传感器传输的对应波段辐射信号，基于对应波段辐射信号结合卷积学习算法进行特征提取处理，在提取到的实际特征值与预存火焰特征数据库中的火焰条件特征匹配时，控制警报单元进行报警提示处理，可以有效的提高火焰识别准确率，有效的避免误报警，适应范围广。
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公开(公告)号：CN115768108A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111027929.X
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，以使得在第一刻蚀停止层内开设孔的形貌与预设方案的形貌相一致，确保下电极形成在该孔内的部分的形貌满足预设方案的要求，提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：基底、第一刻蚀停止层和电容器。第一刻蚀停止层位于基底上。第一刻蚀停止层内掺杂有碳。从上往下碳在第一刻蚀停止层内的掺杂浓度呈半高斯分布，并且第一刻蚀停止层底部的碳的掺杂浓度大于第一刻蚀停止层顶部的碳的掺杂浓度。电容器位于第一刻蚀停止层上。电容器包括下电极、上电极、以及位于下电极和上电极之间的介质层。下电极贯穿第一刻蚀停止层。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
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公开(公告)号：CN115768107A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111026608.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得电容器所包括的下电极的阻抗满足预设方案的要求，提高电容器的工作性能。所述半导体器件包括：基底、电容器和支撑结构。电容器形成在基底上。支撑结构环绕在电容器所包括的下电极的外周。支撑结构上开设有刻蚀图案。下电极与刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
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