一种50μm超薄芯片生产方法
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    发明公开

    公开(公告)号:CN103515316A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310408770.5

    申请日:2013-09-10

    IPC分类号: H01L21/78 H01L21/56

    摘要: 本发明提供了一种50μm超薄芯片生产方法,晶圆图形表面贴覆胶膜,倾斜切膜刀进行切膜;经粗磨、精磨、抛光和腐蚀对晶圆进行减薄,粗磨时才有四个进给速度,抛光时用三种速度;减薄后的晶圆背面绷膜,揭去晶圆正面胶膜,自动上下料;采用双轴划片技术的阶梯模式和防裂片划片工艺进行划片,完成50μm超薄芯片的生产。该生产方法能随着芯片尺寸的增大,确保后制程的加工能力;降低划片过程中存在的芯片表面裂纹以及背面崩碎等质量异常;降低切割过程中划片刀所受到的阻力,有效地降低了芯片裂纹以及崩碎的质量问题;实现超薄芯片的加工,为IC封装产品高密度、高性能和轻薄短小的发展方向提供了技术准备。

    多圈排列IC芯片封装件及其生产方法

    公开(公告)号:CN102222658B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201110181837.7

    申请日:2011-06-30

    IPC分类号: H01L23/495 H01L21/60

    CPC分类号: H01L2224/16245

    摘要: 一种多圈排列IC芯片封装件,包括引线框架、内引脚、IC芯片及塑封体,其特征在于所述引线框架采用有载体的引线框架,引线框架四边绕圈排列有引线框架内引脚,所述的IC芯片带有凸点,凸点连接在内引脚上。本发明比同样面积的单排引线框架的引脚数设计增加40%以上;引脚与引线框架之间不需要键合线连接,结构简单合理。热传导距离短,具有较好的热性能,由于凸点与框架(基板、芯片)直接接触,减小了电路内部焊接电感和电容,信号传输快,失真小,具有良好的电性能;封装厚度和重量减小,避免了焊线的交丝和开路,提高了测试良率和可靠性。

    一种双载体双MEMS器件封装件及其生产方法

    公开(公告)号:CN102431951A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110455053.9

    申请日:2011-12-31

    IPC分类号: B81B7/00 B81C1/00

    摘要: 一种双载体双MEMS器件封装件及其生产方法,包括引线框架、包覆引线框架的包封体、粘接胶及焊线、腔体内壁及腔体外壁,所述引线框架为设有第一载体和第二载体的双载体框架,所述第一载体上通过第一粘片胶粘接有第一MEMS器件,第二载体上通过第二粘片胶粘接有第二MEMS器件,第二MEMS器件通过键合线与引线框架的内引脚相连接,所述第一MEMS器件的焊盘与第二MEMS器件焊盘上的金(铜)球间通过键合线相连接。本发明有效提高MEMS器件的稳定性,误差小、精度高,封装方法以最小和最简单的结构尺寸、最低的价格完成封装,实现MEMS器件对封装外壳所要求的功能。

    一种双层MEMS器件堆叠封装件及其生产方法

    公开(公告)号:CN102431950A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110455037.X

    申请日:2011-12-31

    IPC分类号: B81B7/00 B81C1/00

    摘要: 一种双层MEMS器件堆叠封装件及其生产方法,包括引线框架及包覆引线框架载体的包封体、腔体内壁、腔体外壁。所述引线框架载体上端通过粘片胶固定粘接有第一MEMS器件,第一MEMS器件上通过粘片胶堆叠粘接有第二MEMS器件,第二MEMS器件通过第一键合线与引线框架载体的内引脚相连接,第一MEMS器件与第二MEMS器件通过第二键合线相连通。经过减薄、划片、粘片、粘片后固化烘烤、健合、包封、后固化、电镀及烘烤、打印、切中筋、成型分离、装管检验、包装等工艺,完成整个生产流程。本发明有效提高MEMS器件的稳定性,误差小、精度高,封装方法以最小和最简单的结构尺寸、最低的价格完成封装,实现MEMS器件对封装外壳所要求的功能。