公开(公告)号：CN118136653A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211532247.9

申请日：2022-12-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘少煜 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；形成沟槽；形成高k介质层覆盖沟槽内壁与底面并延伸至N型源区的部分上表面；形成栅电极层于沟槽中；形成源极欧姆接触层于P型体接触区的上表面还延伸至N型源区的上表面与高k介质层邻接；形成覆盖源极欧姆接触层与栅电极层的源极金属层。本发明的制作方法能够有效改善沟槽型MOSFET器件的沟槽拐角处栅氧层在反向耐压时电场集中以及沟槽侧壁栅氧层质量难以控制的问题，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN115277328A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210813367.X

申请日：2022-07-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  张雪菲

IPC: H04L27/04 ,  H04L27/06 ,  H04M11/06

Abstract: 本发明涉及一种解调电路和电容耦合数字隔离器，解调电路包括：多级放大器，用于放大输入信号以产生两个不同幅值的差分信号；第一包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较小的一个差分信号进行解调，得到第一波形信号；第二包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较大的一个差分信号进行解调，得到第二波形信号；比较器，用于将第一波形信号和第二波形信号进行比较并输出比较结果，在比较时，将所述第一波形信号作为阈值电压。本发明能够降低电路的脉冲宽度失真。

公开(公告)号：CN114141646A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111352927.8

申请日：2021-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘天天

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种芯片基准电压温漂系数的晶圆级修调方法，包括：按预设方式在晶圆上选取若干测试晶粒，将选取的若干测试晶粒的码值烧写为各自零温漂系数对应的码值M，该码值可由芯片所选工艺的参数特性估算得来；对每个测试晶粒进行温度测试，得到每个测试晶粒的温度曲线，并计算每个测试晶粒的温度曲线斜率KM；统计每个测试晶粒的相邻晶粒各自零码斜率K0的平均值根据所述平均值和每个测试晶粒的温度曲线斜率KM，计算每个测试晶粒的单位码值变化影响的温度曲线斜率变化量KSTEP；对所有测试晶粒的温度曲线斜率变化量KSTEP取平均得到平均值根据所述平均值计算每个测试晶粒和未选取到的晶粒的烧写码值。本发明能够提高晶圆级基准电压的修调效率。

公开(公告)号：CN113067565A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110216369.6

申请日：2021-02-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘天天

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/16

Abstract: 本发明涉及一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，包括：Vds监测模块，用于监测SiC MOSFET的源漏电压Vds；Vds比较模块，用于将监测到的源漏电压Vds与阈值进行比较，并输出逻辑信号，还包括：寄存器模块，用于存储所述逻辑信号；时钟产生模块，与所述寄存器模块相连，用于产生所述寄存器模块的所需的工作时钟信号；消隐时间配置模块，与所述寄存器模块相连，用于调节所述寄存器模块的有效位数和工作时钟频率；逻辑处理模块，用于根据所述寄存器模块中存储的逻辑信号，在发生短路时输出短路保护信号。本发明能够调整消隐时间，且具有较强的抗干扰能力。

公开(公告)号：CN109917179B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910211777.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐大伟 ,  朱弘月 ,  程新红 ,  李新昌

IPC: G01R19/25

Abstract: 本发明提供一种电流检测系统，包括一功率器件，其功率发射极和辅助发射极之间连接有低通滤波器，低通滤波器包括滤波器电容和滤波器电阻；采样信号调节电路，与低通滤波器的电容输出端相连；信号整形电路，连接于功率发射极和辅助发射极之间；以及可编程器件，其与采样信号调节电路的输出端和信号整形电路的输出端相连，接收信号整形电路的信号作为启动信号，控制采样信号调节电路进行采样。本发明还提供了一种电流检测方法和一种可编程器件。本发明的电流检测系统可以实现功率器件寄生参数与检测系统的时间常数自动匹配，而不需对每个功率器件的寄生参数进行测量，因此提高了检测精度，并且此检测系统电路结构简单，易于集成。

公开(公告)号：CN111162789A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010058947.3

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  林联科 ,  徐大伟

IPC: H03M1/54

Abstract: 本发明公开了一种采样保持电路及电器，包括：第一电容、第一场效应管、第二电容；所述第一电容的一端分别与所述采样保持电路的输入端和所述第一场效应管的源极，所述第一电容的另一端接地；所述第一场效应管的漏极均与所述第二电容的一端和所述采样保持电路的输出端耦接；所述第二电容的另一端接地。本发明提供的采样保持电路能减小输出信号的掉电率、减小采样开关的导通电阻、提高线性度以及降低总体功耗。

公开(公告)号：CN110262614A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910634838.9

申请日：2019-07-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐大伟 ,  程新红 ,  徐超 ,  李新昌

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端，所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值；根据第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间的数值的差值，获得修调步长；获得第一预设斜率值，并根据第一预设斜率值和修调步长，以及第一码值的温度特性曲线的斜率或第二码值的温度特性曲线的斜率，获得与第一预设斜率值对应的理论码值，理论码值为正数；根据理论码值获得最低温度系数的码值；基于最低温度系数的码值，对每一个芯片的温度系数进行修调。

公开(公告)号：CN107359221B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201710602303.4

申请日：2017-07-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  程新红 ,  宁志军 ,  徐大伟 ,  沈玲燕 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P+区域和N+区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。本发明采用SOI作为衬底，并结合量子点制备获得红外探测器，使Si基红外探测系统具有寄生效应小、抗干扰、速度快、功耗低、集成度高、抗单粒子辐照能力强等优点。

公开(公告)号：CN105680107B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610150614.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  李新昌 ,  吴忠昊 ,  徐大伟 ,  羊志强 ,  俞跃辉

IPC: H01M10/42 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma‑delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma‑delta ADC的接口电路‑斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。

公开(公告)号：CN105304689B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510772384.3

申请日：2015-11-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  沈玲燕 ,  王中健 ,  曹铎 ,  郑理 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  李静杰 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属‑绝缘层‑半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。