公开(公告)号：CN105556844A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480049981.7

申请日：2014-09-08

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 克里斯托弗·文森特·安托万·劳伦特

IPC: H03K17/16 ,  H03K19/003

CPC classification number: H03K19/0016 ,  G06F17/5022 ,  G06F17/5045 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明涉及集成电路IC中的泄漏电流减少。在一个方面中，一种IC可包含数字逻辑电路及极化电路。所述数字逻辑电路可具有多个输入且可包含多个逻辑门。所述极化电路可接收备用信号及包括多个位的数字输入信号。在所述备用信号被停用时，所述极化电路可基于所述数字输入信号而控制所述数字逻辑电路的所述多个输入。然而，在所述备用信号被激活时，所述极化电路可将所述数字逻辑电路的所述多个输入控制为低功率状态，相对于所述数字逻辑电路的至少一个其它状态，所述低功率状态与所述多个逻辑门的较小泄漏电流相关联。

公开(公告)号：CN102460582B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201080030078.8

申请日：2010-04-02

Applicant: 阿尔特拉公司

Inventor： C·沃特曼 ,  C·H·李 ,  R·G·克利夫

IPC: G11C7/00 ,  G11C5/02 ,  G06F15/76

CPC classification number: G06F17/5045 ,  G06F2217/84 ,  H03K19/17724 ,  H03K19/17732

Abstract: 提供了一种集成电路。该IC包括具有可编程逻辑单元阵列的第一区域。IC还包括并入IC中的并且与第一区域通信的第二区域。第二区域包括标准逻辑单元和基本单元。在一个实施例中，标准逻辑单元被装配或互联从而容纳已知协议。基本单元包括可配置逻辑从而适应由基本单元支持的新兴通信协议的修改。在一个实施例中，第二区域能够被嵌入到第一区域中。在另一个实施例中，围绕第一区域的周界定义第二区域。可配置逻辑可以包括具有金属掩模可编程互联的混合逻辑元件，以便随着新兴通信协议演变和修改，IC能够被修改从而提供协议中的变化。在另一个实施例中，通过以特定应用空间为目标的全新功能代替初始功能，通用设备能够被定制，例如，用40G/100G以太网和Interlaken(用于有线线路的应用)代替初始功能例如PCI Express(用于基于计算的应用)。还提供了设计集成电路的方法。

公开(公告)号：CN102820293B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210299773.5

申请日：2010-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗明健 ,  吴国雄

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5054 ,  G06F17/5068 ,  H01L25/18 ,  H01L27/11807 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种设计集成电路的方法，包括提供彼此相同的第一芯片和第二芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都包括基底层，基底层包括逻辑晶体管单元(LTU)阵列。LTU阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置的LTU。该方法还包括：连接第一芯片的基底层以形成第一应用芯片；以及连接第二芯片的基底层以形成不同于第一应用芯片的第二应用芯片。

公开(公告)号：CN103917481B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201280026455.X

申请日：2012-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C.V.杰恩斯 ,  A.K.斯坦珀

IPC: B81B3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/001 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5068 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0057 ,  Y10T29/49121

Abstract: 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板上形成固定致动器电极（115）和接触点。该方法还包括在固定致动器电极和接触点之上形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成与固定致动器电极的部分对齐的致动器电极阵列（105’），其大小和尺度设置为防止MEMS梁在重复循环后下陷在固定致动器电极上。致动器电极阵列形成为与MEMS梁的下侧和固定致动器电极的表面至少之一直接接触。

公开(公告)号：CN103097958B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180044004.4

申请日：2011-09-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 刘华玉 ,  刘伟 ,  李江伟 ,  陈洛祁 ,  江泂

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G06F17/5045 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70941 ,  G06F17/5009

Abstract: 描述了一种用于减小由用于将设计布局成像到衬底上的光刻设备产生的闪烁效应的方法。通过将曝光场处的设计布局的密度分布图与点扩散函数(PSF)进行数学组合来模拟光刻系统的曝光场中的闪烁分布图，其中闪烁分布图上的系统特定的效应可以被包含到所述模拟中。通过使用所确定的闪烁分布图计算设计布局的依赖于位置的闪烁校正，由此减小所述闪烁效应。在所述模拟中所包含的所述系统特定的效应中的一些是：由于来自掩模的黑边界的反射造成的闪烁效应、由于来自限定曝光狭缝的一个或更多个掩模版遮蔽刀片的反射造成的闪烁效应、由于过扫描造成的闪烁效应、由于来自动态气锁(DGL)机制的气锁子孔径的反射造成的闪烁效应和由于来自相邻曝光场的贡献造成的闪烁效应。

公开(公告)号：CN103069580B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201180039676.6

申请日：2011-06-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘菲 ,  H·德利吉安尼

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01M10/46 ,  H01M14/00 ,  H01M16/00 ,  H02S40/38

CPC classification number: H01M10/39 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/053 ,  H01L31/068 ,  H01M10/465 ,  H01M14/005 ,  H01M16/00 ,  H01M16/006 ,  H02J7/35 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/547 ,  Y10T156/10 ,  Y10T307/50

Abstract: 一种集成光伏基元和电池器件及其制造方法，以及一种包含所述集成光伏基元和电池器件的光伏功率系统。所述集成光伏基元和电池器件（100）包括光伏基元（110）、电池（120）和互连（140,150），该互连将光伏基元和电池三维集成为用于俘获和存储太阳能的集成器件。本发明还提供一种机器可读的设计结构，用于仿真、设计或制造所述集成光伏基元和电池器件。

公开(公告)号：CN105247657A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480026651.6

申请日：2014-05-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 越卷寿朗 ,  浅井一秀 ,  清水英人 ,  屋敷佳代子 ,  山本一良 ,  牧野修久

IPC: H01L21/02 ,  G05B19/418

CPC classification number: G06F17/5045 ,  G05B19/042 ,  G05B2219/23295 ,  Y02P90/265

Abstract: 将与具有用于处理衬底的装置信息的衬底处理装置连接的管理装置构成为具有：设定部，设定所述装置信息中的成为所述装置信息的基准的基准装置信息；操作显示部，基于由所述设定部设定的所述基准装置信息，分别对提取从所述衬底处理装置获取的获取装置信息和所述基准装置信息之间的差异而得到的差异部和包含所述基准装置信息在内的所述装置信息的内容进行显示；和控制部，进行如下控制：当从所述操作显示部接收所述获取装置信息和所述基准装置信息之间的差异部的修正指示时，基于所述修正指示，修正所述获取装置信息并创建修正装置信息，并将该修正装置信息向所述衬底处理装置发送。

公开(公告)号：CN105051904A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480014063.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  B·杨 ,  S·S·宋

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0924 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种装置包括基板和从基板延伸出的鳍式半导体器件。该鳍式半导体器件包括鳍，该鳍包括具有第一掺杂浓度的第一区域和具有第二掺杂浓度的第二区域。第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。该鳍式半导体器件还包括氧化层。在该鳍式半导体器件的源极和漏极形成之前，该氧化层的掺杂浓度小于第一掺杂浓度。

公开(公告)号：CN104969299A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007438.0

申请日：2014-01-31

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  B·杨

IPC: G11C17/16

CPC classification number: G11C17/18 ,  G06F17/5045 ,  G11C5/06 ,  G11C5/146 ,  G11C7/12 ,  G11C11/40 ,  G11C11/404 ,  G11C11/5692 ,  G11C16/04 ,  G11C17/16 ,  G11C2211/4016

Abstract: 一种方法包括在半导体晶体管结构处选择性地创建第一击穿状况和第二击穿状况。第一击穿状况是在该半导体晶体管结构的源极交叠区域与该半导体晶体管结构的栅极之间。第二击穿状况是在该半导体晶体管结构的漏极交叠区域与该栅极之间。

公开(公告)号：CN104885577A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068753.X

申请日：2013-06-25

Applicant: 思科技术公司

Inventor： 古翰姆·塞巴维特 ,  杰维德·穆罕默德 ,  苏布拉马尼安·拉马纳坦 ,  斯蒂芬·西尔斯

IPC: H05K1/02

CPC classification number: H05K3/225 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5068 ,  H05K1/0224 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/0298 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09681 ,  H05K2201/0969

Abstract: 在一个实现方式中，多层印刷电路板被配置为重新定向电流分配。电流可通过引导、阻挡或以其他方式操纵电流流动来分配。多层印刷电路板包括至少一个电源平面层100b。该电源平面层不均匀地分配电流。相反，该电源平面层包括具有不同电阻的多个图样。这些图样可包括阴影图样113、网格图样、方向性图样101、开槽、空隙或连续图样。该图样是预定的空间变化使得电流在第一区域中的流动与在第二区域中的流动不同。