-
公开(公告)号：CN103065985A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324631.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法，其特征在于在制作好晶圆正面之后，在背面先进行表面处理，先涂覆BCB的增粘剂，再涂覆厚度大于20μm的光敏BCB，使用烘箱进行前烘，光刻后将BCB再次放入烘箱进行显影前软烘，根据显影检测工艺确定显影时间并显影，甩干或吹干，进行显影后软烘，最后放入烘箱进行固化，等离子体处理残胶。使用穿硅通孔TSB作为双面布线的连线，形成层间互连，层间互连是由背面光敏BCB光刻显形形成锥台形通孔。所述的方法适用于高频应用，运用这种方法，可在晶圆正面制造有源或无源器件之后，直接在背面BCB介质层上集成微波无源器件，而不占用晶圆正面的面积，不影响正面器件的性能，与集成电路工艺相兼容。
-
公开(公告)号：CN102306631B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110203161.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于：①首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层；②在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu；③之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
-
公开(公告)号：CN102723306A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210219229.5
申请日：2012-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L25/00 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
-
公开(公告)号：CN102593024A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210015989.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。
-
公开(公告)号：CN101656244B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910054611.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/13 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/82 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种以硅片为基板的埋置微波多芯片多层互连封装结构及制作方法。其特征在于利用低成本的硅片作为芯片埋置基板，以引线键合植球技术制备金凸点，实现微波芯片间的短距离互连，以低介电常数的液态或胶状聚合物作为介质层，通过光刻、电镀、化学机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构，以及有源器件和无源器件的系统集成。整个封装结构具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度，降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元，减小各元器件间的互连损耗，提高整个模块的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102424355A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110363816.7
申请日：2011-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在圆片级射频封装中增强介质层BCB和金属层Au之间粘附性的方法。其特征在于，不需用添加其它粘附材料，只通过工艺参数的选择及优化，增强了BCB和金属层Au的粘附性。其主要步骤为：首先，对介质层BCB进行表面预处理，然后选择及控制溅射的种子层金属类型和种子层的厚度。在溅射完成后，进行退火处理，增加BCB和Au接触面的结合度，最后，在电镀后再做一次退火处理，以减小电镀后产生的应力。通过以上步骤，使BCB和Au之间的粘附性得到很大提高，适用于圆片级射频封装。本发明提供的工艺方法，工艺简单，成本低廉优点。
-
公开(公告)号：CN102337541A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110288669.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/308 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种制作锥形穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)所使用的刻蚀方法，其特征在于首先在硅片正面沉积一层SiO2，然后光刻去除图形中的SiO2，露出下面的硅。放入STS刻蚀机中，对硅片正面进行第一步刻蚀，第一步刻蚀的过程中刻蚀阶段和钝化阶段交替进行，从而获得出深度为50-200μm的垂直深孔。然后对硅片正面进行第二步刻蚀，刻蚀出具有倒梯形的锥形形貌的深孔。所采用的刻蚀方法可操作性强，适合于工业化生产，不仅可望降低制作晶圆TSV的工艺成本，而且提高了TSV的电镀填充的成品率。
-
公开(公告)号：CN101847592B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010143745.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/0361 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。
-
公开(公告)号：CN102241388A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110129333.0
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。
-
公开(公告)号：CN102163590A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110056398.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/525 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提出了一种基于埋置式基板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构(3D-MCM)。在基板上下表面均有凹陷腔体结构。在这些尺寸不同的腔体结构中放置尺寸差异较大的不同种芯片并布线，从而形成埋置式三维封装结构。多个芯片的互连采用了传统的引线键合方式。芯片保护方式采用了滴封胶(Glob-top)和围坝包封成型两种包封工艺。引脚输出形式采用周边式球栅阵列(BGA)方式。凹陷腔体结构减少了封装面积，提高了封装密度，并有效缩短了键合引线的长度，减小了信号延迟。整个工艺过程与表面组装工艺相兼容，具有工艺简单成本低的特点。基板上下表面的凹陷腔体减小了基板翘曲，可提高三维封装结构可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
140
records
(took 0.061 seconds)
