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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105624795A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610133650.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , C30B33/02 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102306631B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110203161.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于：①首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层；②在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu；③之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
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公开(公告)号：CN102306631A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110203161.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
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公开(公告)号：CN102222630A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110149550.6
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，之后在基板上溅射金属种子层，涂覆厚光刻胶并光刻电镀窗口，然后分两步分别电镀锡银和铟，电镀完成后去除厚光刻胶和多余的种子层，回流焊料形成凸点。本发明充分利用了电镀法制备凸点所具备的凸点一致性好、凸点尺寸和节距小、凸点产量高、成本低等优点，克服了电镀法在三元合金上的局限性，并为电镀法制备Sn-Ag-In三元高密度微小尺寸无铅凸点奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105624795B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610133650.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
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